SGT70N65FD1P7 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: SGT70N65FD1P7
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 321 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 140 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 171 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 390 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SGT70N65FD1P7
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SGT70N65FD1P7 даташит
sgt70n65fdm1p7.pdf
SGT70N65FDM1P7 70A 650V C 2 SGT70N65FDM1P7 Field Stop 1 UPS,SMPS G PFC 3 E 70A 650V VCE(sat)( )=2.3V@IC=70A
Другие IGBT... SGT40N60FD1P7 , SGT40N60FD2PT , SGT40T120SDB4P7 , SGT40U120FD1P7 , SGT50T65SDM1P7 , SGT60N60FD1PS , SGT60N60FD1PT , SGT60U65FD1P7 , SGT60U65FD1PT , SGT70N65FDM1P7 , SGT75T65SDM1P4 , SGT75T65SDM1P7 , SGTP30V60FD2PU , SGTP40V120F2P7 , SGTP40V120FDB2P7 , SGTP40V60FD2PU , SGTP40V60SD2PF .
History: SGT40N60FD1P7 | DG50H12T2Z
History: SGT40N60FD1P7 | DG50H12T2Z
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n3055 datasheet | 2sc945 | irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015