SGT70N65FD1P7 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGT70N65FD1P7
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: 70N65FD1P7
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 321 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 140 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 171 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 390 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 189 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SGT70N65FD1P7
SGT70N65FD1P7 Datasheet (PDF)
..1. Size:304K silan
sgt70n65fd1p7.pdf
sgt70n65fd1p7.pdf
SGT70N65FD1P7 70A650V C 2SGT70N65FD1P7 Field Stop1G UPS,SMPS PFC 3 E 70A650VVCE(sat)( )=2.3V@IC=70A
4.1. Size:303K silan
sgt70n65fdm1p7.pdf
sgt70n65fdm1p7.pdf
SGT70N65FDM1P7 70A650V C2SGT70N65FDM1P7 Field Stop1 UPS,SMPSG PFC 3E 70A650VVCE(sat)( )=2.3V@IC=70A
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n3055 datasheet | 2sc945 | irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015