SGT70N65FD1P7 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SGT70N65FD1P7
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 70N65FD1P7
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 321
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 140
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.3
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 171
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 390
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 189
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SGT70N65FD1P7

 

 

SGT70N65FD1P7 Datasheet (PDF)

Другие IGBT... SGT40N60FD1P7 , SGT40N60FD2PT , SGT40T120SDB4P7 , SGT40U120FD1P7 , SGT50T65SDM1P7 , SGT60N60FD1PS , SGT60N60FD1PT , SGT60U65FD1P7 , IRG7S313U , SGT70N65FDM1P7 , SGT75T65SDM1P4 , SGT75T65SDM1P7 , SGTP30V60FD2PU , SGTP40V120F2P7 , SGTP40V120FDB2P7 , SGTP40V60FD2PU , SGTP40V60SD2PF .

History: RJH3044