SGT70N65FDM1P7 Todos los transistores

SGT70N65FDM1P7 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGT70N65FDM1P7

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 321 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 140 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 171 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 294 pF

Encapsulados: TO247

- Selección ⓘ de transistores por parámetros