SGT70N65FDM1P7 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGT70N65FDM1P7
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 321 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 140 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 171 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 294 pF
Paquete / Cubierta: TO247
- Selección de transistores por parámetros
SGT70N65FDM1P7 Datasheet (PDF)
sgt70n65fdm1p7.pdf
SGT70N65FDM1P7 70A650V C2SGT70N65FDM1P7 Field Stop1 UPS,SMPSG PFC 3E 70A650VVCE(sat)( )=2.3V@IC=70A
sgt70n65fd1p7.pdf
SGT70N65FD1P7 70A650V C 2SGT70N65FD1P7 Field Stop1G UPS,SMPS PFC 3 E 70A650VVCE(sat)( )=2.3V@IC=70A
Otros transistores... SGT40N60FD2PT , SGT40T120SDB4P7 , SGT40U120FD1P7 , SGT50T65SDM1P7 , SGT60N60FD1PS , SGT60N60FD1PT , SGT60U65FD1P7 , SGT70N65FD1P7 , CRG40T60AK3HD , SGT75T65SDM1P4 , SGT75T65SDM1P7 , SGTP30V60FD2PU , SGTP40V120F2P7 , SGTP40V120FDB2P7 , SGTP40V60FD2PU , SGTP40V60SD2PF , SGTP40V65FDR1P7 .
History: SGT20T60SD1T | APTGF25X120E2 | GT80J101 | BLG40T120FUH-F | MMG150S120B6TN | APTLGF210U120T
History: SGT20T60SD1T | APTGF25X120E2 | GT80J101 | BLG40T120FUH-F | MMG150S120B6TN | APTLGF210U120T
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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