SGT70N65FDM1P7 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGT70N65FDM1P7
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: 70N65FDM1
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 321
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 140
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.3
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 171
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 294
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 189
Paquete / Cubierta: TO247
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SGT70N65FDM1P7 Datasheet (PDF)
sgt70n65fdm1p7.pdf
SGT70N65FDM1P7 70A650V C2SGT70N65FDM1P7 Field Stop1 UPS,SMPSG PFC 3E 70A650VVCE(sat)( )=2.3V@IC=70A
sgt70n65fd1p7.pdf
SGT70N65FD1P7 70A650V C 2SGT70N65FD1P7 Field Stop1G UPS,SMPS PFC 3 E 70A650VVCE(sat)( )=2.3V@IC=70A
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Liste
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