SGT70N65FDM1P7 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGT70N65FDM1P7
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: 70N65FDM1
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 321 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 140 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 171 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 294 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 189 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SGT70N65FDM1P7
SGT70N65FDM1P7 Datasheet (PDF)
..1. Size:303K silan
sgt70n65fdm1p7.pdf
sgt70n65fdm1p7.pdf
SGT70N65FDM1P7 70A650V C2SGT70N65FDM1P7 Field Stop1 UPS,SMPSG PFC 3E 70A650VVCE(sat)( )=2.3V@IC=70A
4.1. Size:304K silan
sgt70n65fd1p7.pdf
sgt70n65fd1p7.pdf
SGT70N65FD1P7 70A650V C 2SGT70N65FD1P7 Field Stop1G UPS,SMPS PFC 3 E 70A650VVCE(sat)( )=2.3V@IC=70A
Другие IGBT... SGT40N60FD2PT , SGT40T120SDB4P7 , SGT40U120FD1P7 , SGT50T65SDM1P7 , SGT60N60FD1PS , SGT60N60FD1PT , SGT60U65FD1P7 , SGT70N65FD1P7 , SGP30N60 , SGT75T65SDM1P4 , SGT75T65SDM1P7 , SGTP30V60FD2PU , SGTP40V120F2P7 , SGTP40V120FDB2P7 , SGTP40V60FD2PU , SGTP40V60SD2PF , SGTP40V65FDR1P7 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc945 | irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42