SGT70N65FDM1P7 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SGT70N65FDM1P7
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 321 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 140 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 171 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 294 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам