SGT75T65SDM1P7 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGT75T65SDM1P7
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: 75T65SDM1
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 416
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 150
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.65
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 42
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 300
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 180
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de SGT75T65SDM1P7 - IGBT
SGT75T65SDM1P7 Datasheet (PDF)
sgt75t65sdm1p7.pdf
SGT75T65SDM1P7 75A650V C2SGT75T65SDM1P7 1Field Stop IIIG UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A
sgt75t65sdm1p4.pdf
SGT75T65SDM1P4 75A650V C1SGT75T65SDM1P4 4Field Stop IIIG UPSSMPS PFC 3 2E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ