SGT75T65SDM1P7 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGT75T65SDM1P7
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 416 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 42 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 300 pF
Paquete / Cubierta: TO247
- Selección de transistores por parámetros
SGT75T65SDM1P7 Datasheet (PDF)
sgt75t65sdm1p7.pdf
SGT75T65SDM1P7 75A650V C2SGT75T65SDM1P7 1Field Stop IIIG UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A
sgt75t65sdm1p4.pdf
SGT75T65SDM1P4 75A650V C1SGT75T65SDM1P4 4Field Stop IIIG UPSSMPS PFC 3 2E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A
Otros transistores... SGT40U120FD1P7 , SGT50T65SDM1P7 , SGT60N60FD1PS , SGT60N60FD1PT , SGT60U65FD1P7 , SGT70N65FD1P7 , SGT70N65FDM1P7 , SGT75T65SDM1P4 , RJH60F5DPQ-A0 , SGTP30V60FD2PU , SGTP40V120F2P7 , SGTP40V120FDB2P7 , SGTP40V60FD2PU , SGTP40V60SD2PF , SGTP40V65FDR1P7 , SGTP40V65SDB1P7 , SGTP50T120FDB4PWA .
History: DAZF100G120XCA | SKM150GB12T4 | IRG7RC10FD | CM1200DC-34N | FF200R12KT3 | IRG4PC30FPBF
History: DAZF100G120XCA | SKM150GB12T4 | IRG7RC10FD | CM1200DC-34N | FF200R12KT3 | IRG4PC30FPBF
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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