SGT75T65SDM1P7 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SGT75T65SDM1P7
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 75T65SDM1
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 42 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 300 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 180 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SGT75T65SDM1P7

 

 

SGT75T65SDM1P7 Datasheet (PDF)

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .