SGT75T65SDM1P7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGT75T65SDM1P7  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 42 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 300 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SGT75T65SDM1P7

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGT75T65SDM1P7 даташит

 ..1. Size:438K  silan
 sgt75t65sdm1p7.pdf pdf_icon

SGT75T65SDM1P7

SGT75T65SDM1P7 75A 650V C 2 SGT75T65SDM1P7 1 Field Stop III G UPS SMPS PFC 3 E 75A 650V VCE(sat)( )=1.65V@IC=75A

 1.1. Size:407K  silan
 sgt75t65sdm1p4.pdf pdf_icon

SGT75T65SDM1P7

Другие IGBT... SGT40U120FD1P7, SGT50T65SDM1P7, SGT60N60FD1PS, SGT60N60FD1PT, SGT60U65FD1P7, SGT70N65FD1P7, SGT70N65FDM1P7, SGT75T65SDM1P4, GT30F131, SGTP30V60FD2PU, SGTP40V120F2P7, SGTP40V120FDB2P7, SGTP40V60FD2PU, SGTP40V60SD2PF, SGTP40V65FDR1P7, SGTP40V65SDB1P7, SGTP50T120FDB4PWA