SGT75T65SDM1P7 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGT75T65SDM1P7
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: 75T65SDM1
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 42 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 300 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 180 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SGT75T65SDM1P7
SGT75T65SDM1P7 Datasheet (PDF)
..1. Size:438K silan
sgt75t65sdm1p7.pdf
sgt75t65sdm1p7.pdf
SGT75T65SDM1P7 75A650V C2SGT75T65SDM1P7 1Field Stop IIIG UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A
1.1. Size:407K silan
sgt75t65sdm1p4.pdf
sgt75t65sdm1p4.pdf
SGT75T65SDM1P4 75A650V C1SGT75T65SDM1P4 4Field Stop IIIG UPSSMPS PFC 3 2E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A
Другие IGBT... SGT40U120FD1P7 , SGT50T65SDM1P7 , SGT60N60FD1PS , SGT60N60FD1PT , SGT60U65FD1P7 , SGT70N65FD1P7 , SGT70N65FDM1P7 , SGT75T65SDM1P4 , GT30F125 , SGTP30V60FD2PU , SGTP40V120F2P7 , SGTP40V120FDB2P7 , SGTP40V60FD2PU , SGTP40V60SD2PF , SGTP40V65FDR1P7 , SGTP40V65SDB1P7 , SGTP50T120FDB4PWA .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor