SGTP40V120FDB2P7 Todos los transistores

 

SGTP40V120FDB2P7 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGTP40V120FDB2P7
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 375 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 41 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 100 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

SGTP40V120FDB2P7 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:499K  silan
 sgtp40v120fdb2p7.pdf pdf_icon

SGTP40V120FDB2P7

SGTP40V120FDB2P7 40A1200V C 2SGTP40V120FDB2P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 40A1200VVCE(sat)( )=1.9V@IC=40A

 3.1. Size:436K  silan
 sgtp40v120f2p7.pdf pdf_icon

SGTP40V120FDB2P7

SGTP40V120F2P7 40A, 1200V C 2SGTP40V120F2P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 40A1200VVCE(sat)()=1.9V@IC

 7.1. Size:505K  silan
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SGTP40V120FDB2P7

SGTP40V60SD2PF 40A600V C 2SGTP40V60SD2PF 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 40A600VVCE(sat)( )=1.35V@IC=40A

 7.2. Size:509K  silan
 sgtp40v60fd2pu.pdf pdf_icon

SGTP40V120FDB2P7

SGTP40V60FD2PU 40A600V C2 1GSGTP40V60FD2PU Field Stop 53UPSSMPS PFC E 40A600VVCE(sat)( )=1.55V@IC=40A

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History: GT60M102 | DIM250PLM33-TL | STGFW30H65FB | KGF40N60PA | BLG60T65FDK-K | IRGS4640D

 

 
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