SGTP40V120FDB2P7 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGTP40V120FDB2P7
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 375 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 41 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 100 pF
Encapsulados: TO247
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SGTP40V120FDB2P7 datasheet
sgtp40v120fdb2p7.pdf
SGTP40V120FDB2P7 40A 1200V C 2 SGTP40V120FDB2P7 1 G Field Stop 5 UPS SMPS PFC 3 E 40A 1200V VCE(sat)( )=1.9V@IC=40A
sgtp40v120f2p7.pdf
SGTP40V120F2P7 40A, 1200V C 2 SGTP40V120F2P7 1 G Field Stop 5 UPS SMPS PFC 3 E 40A 1200V VCE(sat)( )=1.9V@IC
sgtp40v60sd2pf.pdf
SGTP40V60SD2PF 40A 600V C 2 SGTP40V60SD2PF 1 G Field Stop 5 UPS SMPS PFC 3 E 40A 600V VCE(sat)( )=1.35V@IC=40A
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