Справочник IGBT. SGTP40V120FDB2P7

 

SGTP40V120FDB2P7 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGTP40V120FDB2P7
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 41 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SGTP40V120FDB2P7 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:499K  silan
 sgtp40v120fdb2p7.pdf pdf_icon

SGTP40V120FDB2P7

SGTP40V120FDB2P7 40A1200V C 2SGTP40V120FDB2P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 40A1200VVCE(sat)( )=1.9V@IC=40A

 3.1. Size:436K  silan
 sgtp40v120f2p7.pdf pdf_icon

SGTP40V120FDB2P7

SGTP40V120F2P7 40A, 1200V C 2SGTP40V120F2P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 40A1200VVCE(sat)()=1.9V@IC

 7.1. Size:505K  silan
 sgtp40v60sd2pf.pdf pdf_icon

SGTP40V120FDB2P7

SGTP40V60SD2PF 40A600V C 2SGTP40V60SD2PF 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 40A600VVCE(sat)( )=1.35V@IC=40A

 7.2. Size:509K  silan
 sgtp40v60fd2pu.pdf pdf_icon

SGTP40V120FDB2P7

SGTP40V60FD2PU 40A600V C2 1GSGTP40V60FD2PU Field Stop 53UPSSMPS PFC E 40A600VVCE(sat)( )=1.55V@IC=40A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SGT60N60FD1PT , SGT60U65FD1P7 , SGT70N65FD1P7 , SGT70N65FDM1P7 , SGT75T65SDM1P4 , SGT75T65SDM1P7 , SGTP30V60FD2PU , SGTP40V120F2P7 , IRGP4066D , SGTP40V60FD2PU , SGTP40V60SD2PF , SGTP40V65FDR1P7 , SGTP40V65SDB1P7 , SGTP50T120FDB4PWA , SGTP50V60FD2PF , SGTP50V60FD2PU , SGTP50V60SD2PF .

History: IFS150B12N3E4_B31 | MIXA20W1200TML | KGF40N60PA | STGFW30H65FB | MSG20T65HPT1 | BLG60T65FDK-K | IRGS4640D

 

 
Back to Top

 


 
.