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SGTP50T120FDB4PWA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGTP50T120FDB4PWA
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: P50T120FDB4
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 600 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 32 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 259 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 293 nC
   Paquete / Cubierta: TO247PN
 

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SGTP50T120FDB4PWA Datasheet (PDF)

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SGTP50T120FDB4PWA

SGTP50T120FDB4PWA 50A1200V C 2SGTP50T120FDB4PWA 1GField Stop IVUPSSMPS PFC 3 E 50A1200VVCE(sat)( )=2.0V@IC=50A

 8.1. Size:472K  silan
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SGTP50T120FDB4PWA

SGTP50V65SDB1P7 50A650V C 2SGTP50V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.45V@IC=50A

 8.2. Size:414K  silan
 sgtp50v60fd2pu.pdf pdf_icon

SGTP50T120FDB4PWA

SGTP50V60FD2PU 50A600V C 2SGTP50V60FD2PU 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A600VVCE(sat)( )=1.65V@IC=50A

 8.3. Size:480K  silan
 sgtp50v65fdb1p7.pdf pdf_icon

SGTP50T120FDB4PWA

SGTP50V65FDB1P7 50A650V C 2SGTP50V65FDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=50A

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