Справочник IGBT. SGTP50T120FDB4PWA

 

SGTP50T120FDB4PWA Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGTP50T120FDB4PWA
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: P50T120FDB4
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 259 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 293 nC
   Тип корпуса: TO247PN
 

 Аналог (замена) для SGTP50T120FDB4PWA

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGTP50T120FDB4PWA Datasheet (PDF)

 0.1. Size:487K  silan
 sgtp50t120fdb4pwa.pdf pdf_icon

SGTP50T120FDB4PWA

SGTP50T120FDB4PWA 50A1200V C 2SGTP50T120FDB4PWA 1GField Stop IVUPSSMPS PFC 3 E 50A1200VVCE(sat)( )=2.0V@IC=50A

 8.1. Size:472K  silan
 sgtp50v65sdb1p7.pdf pdf_icon

SGTP50T120FDB4PWA

SGTP50V65SDB1P7 50A650V C 2SGTP50V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.45V@IC=50A

 8.2. Size:414K  silan
 sgtp50v60fd2pu.pdf pdf_icon

SGTP50T120FDB4PWA

SGTP50V60FD2PU 50A600V C 2SGTP50V60FD2PU 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A600VVCE(sat)( )=1.65V@IC=50A

 8.3. Size:480K  silan
 sgtp50v65fdb1p7.pdf pdf_icon

SGTP50T120FDB4PWA

SGTP50V65FDB1P7 50A650V C 2SGTP50V65FDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=50A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SGT75T65SDM1P7 , SGTP30V60FD2PU , SGTP40V120F2P7 , SGTP40V120FDB2P7 , SGTP40V60FD2PU , SGTP40V60SD2PF , SGTP40V65FDR1P7 , SGTP40V65SDB1P7 , FGH75T65UPD , SGTP50V60FD2PF , SGTP50V60FD2PU , SGTP50V60SD2PF , SGTP50V65FD2PU , SGTP50V65FDB1P7 , SGTP50V65SDB1P7 , SGTP50V65UF1P7 , SGTP50V65UFCR3P7 .

 

 
Back to Top

 


 
.