SGTP50T120FDB4PWA - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: SGTP50T120FDB4PWA
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 259 pF
Тип корпуса: TO247PN
Аналог (замена) для SGTP50T120FDB4PWA
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SGTP50T120FDB4PWA даташит
sgtp50t120fdb4pwa.pdf
SGTP50T120FDB4PWA 50A 1200V C 2 SGTP50T120FDB4PWA 1 G Field Stop IV UPS SMPS PFC 3 E 50A 1200V VCE(sat)( )=2.0V@IC=50A
sgtp50v60fd2pu.pdf
SGTP50V60FD2PU 50A 600V C 2 SGTP50V60FD2PU 1 G Field Stop 5 UPS SMPS PFC 3 E 50A 600V VCE(sat)( )=1.65V@IC=50A
Другие IGBT... SGT75T65SDM1P7 , SGTP30V60FD2PU , SGTP40V120F2P7 , SGTP40V120FDB2P7 , SGTP40V60FD2PU , SGTP40V60SD2PF , SGTP40V65FDR1P7 , SGTP40V65SDB1P7 , IRG4PC50W , SGTP50V60FD2PF , SGTP50V60FD2PU , SGTP50V60SD2PF , SGTP50V65FD2PU , SGTP50V65FDB1P7 , SGTP50V65SDB1P7 , SGTP50V65UF1P7 , SGTP50V65UFCR3P7 .
History: MIEB101W1200DPFEH | 6MBP35VDA120-50
History: MIEB101W1200DPFEH | 6MBP35VDA120-50
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet