SGTP50V65FD2PU Todos los transistores

 

SGTP50V65FD2PU - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGTP50V65FD2PU
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 273 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 26 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 69 pF
   Paquete / Cubierta: TO247N
     - Selección de transistores por parámetros

 

SGTP50V65FD2PU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:532K  silan
 sgtp50v65fd2pu.pdf pdf_icon

SGTP50V65FD2PU

SGTP50V65FD2PU 50A650V C 2SGTP50V65FD2PU 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=50A

 3.1. Size:480K  silan
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SGTP50V65FD2PU

SGTP50V65FDB1P7 50A650V C 2SGTP50V65FDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=50A

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SGTP50V65FD2PU

SGTP50V65SDB1P7 50A650V C 2SGTP50V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.45V@IC=50A

 5.2. Size:410K  silan
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SGTP50V65FD2PU

SGTP50V65UFCR3P7 50A650V C 2SGTP50V65UFCR3P7 1GField Stop 5OBC PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.60V@IC=5

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History: 7MBR100VR060-50 | KGT15N120NDS | NGTB15N135IHRWG | STGP19NC60WD | HGTD6N50E1S | XNF6N60T | FD600R17KF6C_B2

 

 
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