SGTP50V65FD2PU - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: SGTP50V65FD2PU
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 26 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 69 pF
Тип корпуса: TO247N
Аналог (замена) для SGTP50V65FD2PU
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SGTP50V65FD2PU даташит
sgtp50v65fd2pu.pdf
SGTP50V65FD2PU 50A 650V C 2 SGTP50V65FD2PU 1 G Field Stop 5 UPS SMPS PFC 3 E 50A 650V VCE(sat)( )=1.65V@IC=50A
sgtp50v65ufcr3p7.pdf
SGTP50V65UFCR3P7 50A 650V C 2 SGTP50V65UFCR3P7 1 G Field Stop 5 OBC PFC 3 E 50A 650V VCE(sat)( )=1.60V@IC=5
Другие IGBT... SGTP40V60FD2PU , SGTP40V60SD2PF , SGTP40V65FDR1P7 , SGTP40V65SDB1P7 , SGTP50T120FDB4PWA , SGTP50V60FD2PF , SGTP50V60FD2PU , SGTP50V60SD2PF , TGPF30N43P , SGTP50V65FDB1P7 , SGTP50V65SDB1P7 , SGTP50V65UF1P7 , SGTP50V65UFCR3P7 , SGTP5T60SD1DTR , SGTP5T60SD1STR , SGTP75V120FDB2PW , SGTP75V120FDB2PW4 .
History: JNG25T120AI | BG100B12UX3-I
History: JNG25T120AI | BG100B12UX3-I
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219 | tip42c