SGTP50V65FDB1P7 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGTP50V65FDB1P7 📄📄

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 273 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 26 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 87 pF

Encapsulados: TO247

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Búsqueda de reemplazo de SGTP50V65FDB1P7 IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

SGTP50V65FDB1P7 datasheet

0.1. Size:480K silan
sgtp50v65fdb1p7.pdf pdf_icon

3.1. Size:532K silan
sgtp50v65fd2pu.pdf pdf_icon

SGTP50V65FD2PU 50A 650V C 2 SGTP50V65FD2PU 1 G Field Stop 5 UPS SMPS PFC 3 E 50A 650V VCE(sat)( )=1.65V@IC=50A

5.1. Size:472K silan
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5.2. Size:410K silan
sgtp50v65ufcr3p7.pdf pdf_icon

SGTP50V65UFCR3P7 50A 650V C 2 SGTP50V65UFCR3P7 1 G Field Stop 5 OBC PFC 3 E 50A 650V VCE(sat)( )=1.60V@IC=5