Справочник IGBT. SGTP50V65FDB1P7

 

SGTP50V65FDB1P7 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGTP50V65FDB1P7
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: P50V65FDB1
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 26 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 87 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 129 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SGTP50V65FDB1P7

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGTP50V65FDB1P7 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:480K  silan
 sgtp50v65fdb1p7.pdf pdf_icon

SGTP50V65FDB1P7

SGTP50V65FDB1P7 50A650V C 2SGTP50V65FDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=50A

 3.1. Size:532K  silan
 sgtp50v65fd2pu.pdf pdf_icon

SGTP50V65FDB1P7

SGTP50V65FD2PU 50A650V C 2SGTP50V65FD2PU 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=50A

 5.1. Size:472K  silan
 sgtp50v65sdb1p7.pdf pdf_icon

SGTP50V65FDB1P7

SGTP50V65SDB1P7 50A650V C 2SGTP50V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.45V@IC=50A

 5.2. Size:410K  silan
 sgtp50v65ufcr3p7.pdf pdf_icon

SGTP50V65FDB1P7

SGTP50V65UFCR3P7 50A650V C 2SGTP50V65UFCR3P7 1GField Stop 5OBC PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.60V@IC=5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SGTP40V60SD2PF , SGTP40V65FDR1P7 , SGTP40V65SDB1P7 , SGTP50T120FDB4PWA , SGTP50V60FD2PF , SGTP50V60FD2PU , SGTP50V60SD2PF , SGTP50V65FD2PU , IRG4PC50UD , SGTP50V65SDB1P7 , SGTP50V65UF1P7 , SGTP50V65UFCR3P7 , SGTP5T60SD1DTR , SGTP5T60SD1STR , SGTP75V120FDB2PW , SGTP75V120FDB2PW4 , SGTP75V65FDB1P4B .

History: FB30R06W1E3

 

 
Back to Top

 


 
.