SGTP50V65SDB1P7 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGTP50V65SDB1P7
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: P50V65SDB1
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 273 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 4.8 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 27 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 87 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 132 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de SGTP50V65SDB1P7 - IGBT
SGTP50V65SDB1P7 Datasheet (PDF)
sgtp50v65sdb1p7.pdf
SGTP50V65SDB1P7 50A650V C 2SGTP50V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.45V@IC=50A
sgtp50v65fdb1p7.pdf
SGTP50V65FDB1P7 50A650V C 2SGTP50V65FDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=50A
sgtp50v65fd2pu.pdf
SGTP50V65FD2PU 50A650V C 2SGTP50V65FD2PU 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=50A
sgtp50v65ufcr3p7.pdf
SGTP50V65UFCR3P7 50A650V C 2SGTP50V65UFCR3P7 1GField Stop 5OBC PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.60V@IC=5
sgtp50v65uf1p7.pdf
SGTP50V65UF1P7 50A650V C 2SGTP50V65UF1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.60V@IC=50A
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Liste
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