SGTP50V65SDB1P7 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGTP50V65SDB1P7
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 273 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 27 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 87 pF
Encapsulados: TO247
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SGTP50V65SDB1P7 datasheet
sgtp50v65fd2pu.pdf
SGTP50V65FD2PU 50A 650V C 2 SGTP50V65FD2PU 1 G Field Stop 5 UPS SMPS PFC 3 E 50A 650V VCE(sat)( )=1.65V@IC=50A
sgtp50v65ufcr3p7.pdf
SGTP50V65UFCR3P7 50A 650V C 2 SGTP50V65UFCR3P7 1 G Field Stop 5 OBC PFC 3 E 50A 650V VCE(sat)( )=1.60V@IC=5
Otros transistores... SGTP40V65FDR1P7 , SGTP40V65SDB1P7 , SGTP50T120FDB4PWA , SGTP50V60FD2PF , SGTP50V60FD2PU , SGTP50V60SD2PF , SGTP50V65FD2PU , SGTP50V65FDB1P7 , NGTB75N65FL2 , SGTP50V65UF1P7 , SGTP50V65UFCR3P7 , SGTP5T60SD1DTR , SGTP5T60SD1STR , SGTP75V120FDB2PW , SGTP75V120FDB2PW4 , SGTP75V65FDB1P4B , SGTP75V65FDB1P7 .
History: SGTQ200V75SDB1PWD
History: SGTQ200V75SDB1PWD
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