SGTP50V65SDB1P7 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGTP50V65SDB1P7
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: P50V65SDB1
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 273
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 100
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.45
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 4.8
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 27
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 87
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 132
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de SGTP50V65SDB1P7 - IGBT
SGTP50V65SDB1P7 Datasheet (PDF)
sgtp50v65sdb1p7.pdf
SGTP50V65SDB1P7 50A650V C 2SGTP50V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.45V@IC=50A
sgtp50v65fdb1p7.pdf
SGTP50V65FDB1P7 50A650V C 2SGTP50V65FDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=50A
sgtp50v65fd2pu.pdf
SGTP50V65FD2PU 50A650V C 2SGTP50V65FD2PU 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=50A
sgtp50v65ufcr3p7.pdf
SGTP50V65UFCR3P7 50A650V C 2SGTP50V65UFCR3P7 1GField Stop 5OBC PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.60V@IC=5
sgtp50v65uf1p7.pdf
SGTP50V65UF1P7 50A650V C 2SGTP50V65UF1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.60V@IC=50A
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