SGTP50V65SDB1P7 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGTP50V65SDB1P7
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: P50V65SDB1
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.8 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 87 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 132 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SGTP50V65SDB1P7
SGTP50V65SDB1P7 Datasheet (PDF)
sgtp50v65sdb1p7.pdf
SGTP50V65SDB1P7 50A650V C 2SGTP50V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.45V@IC=50A
sgtp50v65fdb1p7.pdf
SGTP50V65FDB1P7 50A650V C 2SGTP50V65FDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=50A
sgtp50v65fd2pu.pdf
SGTP50V65FD2PU 50A650V C 2SGTP50V65FD2PU 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=50A
sgtp50v65ufcr3p7.pdf
SGTP50V65UFCR3P7 50A650V C 2SGTP50V65UFCR3P7 1GField Stop 5OBC PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.60V@IC=5
sgtp50v65uf1p7.pdf
SGTP50V65UF1P7 50A650V C 2SGTP50V65UF1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.60V@IC=50A
Другие IGBT... SGTP40V65FDR1P7 , SGTP40V65SDB1P7 , SGTP50T120FDB4PWA , SGTP50V60FD2PF , SGTP50V60FD2PU , SGTP50V60SD2PF , SGTP50V65FD2PU , SGTP50V65FDB1P7 , FGL60N100BNTD , SGTP50V65UF1P7 , SGTP50V65UFCR3P7 , SGTP5T60SD1DTR , SGTP5T60SD1STR , SGTP75V120FDB2PW , SGTP75V120FDB2PW4 , SGTP75V65FDB1P4B , SGTP75V65FDB1P7 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2