SGTP75V120FDB2PW Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGTP75V120FDB2PW 📄📄

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 833 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 38 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 175 pF

Encapsulados: TO247P

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Búsqueda de reemplazo de SGTP75V120FDB2PW IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

SGTP75V120FDB2PW datasheet

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SGTP75V120FDB2PW4 75A 1200V C 1 SGTP75V120FDB2PW4 4 Field Stop 5 G UPS SMPS PFC 3 2 E 75A 1200V VCE(sat)( )=1.9V@IC=

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SGTP75V120FDB2PW 75A 1200V C 2 SGTP75V120FDB2PW 1 G Field Stop 5 UPS SMPS PFC 3 E 75A 1200V VCE(sat)( )=1.9V@IC=75A

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7.2. Size:562K silan
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