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SGTP75V120FDB2PW IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGTP75V120FDB2PW
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 833 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 38 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 175 pF
   Paquete / Cubierta: TO247P
 

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SGTP75V120FDB2PW PDF specs

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SGTP75V120FDB2PW

SGTP75V120FDB2PW4 75A 1200V C 1 SGTP75V120FDB2PW4 4 Field Stop 5 G UPS SMPS PFC 3 2 E 75A 1200V VCE(sat)( )=1.9V@IC=... See More ⇒

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SGTP75V120FDB2PW 75A 1200V C 2 SGTP75V120FDB2PW 1 G Field Stop 5 UPS SMPS PFC 3 E 75A 1200V VCE(sat)( )=1.9V@IC=75A ... See More ⇒

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