SGTP75V120FDB2PW - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGTP75V120FDB2PW
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: P75V120FDB2
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 833 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.4 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 38 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 175 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 234 nC
Paquete / Cubierta: TO247P
Búsqueda de reemplazo de SGTP75V120FDB2PW - IGBT
SGTP75V120FDB2PW Datasheet (PDF)
sgtp75v120fdb2pw4.pdf
SGTP75V120FDB2PW4 75A1200V C1SGTP75V120FDB2PW4 4Field Stop 5GUPSSMPS PFC 3 2E 75A1200VVCE(sat)( )=1.9V@IC=
sgtp75v120fdb2pw.pdf
SGTP75V120FDB2PW 75A1200V C 2SGTP75V120FDB2PW 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3 E 75A1200VVCE(sat)( )=1.9V@IC=75A
sgtp75v65fdb1p7.pdf
SGTP75V65FDB1P7 75A650V C 2SGTP75V65FDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A
sgtp75v65sds1p7.pdf
SGTP75V65SDS1P7 75A650V C 2SGTP75V65SDS1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.42V@IC=75A
sgtp75v65sdb1p7.pdf
SGTP75V65SDB1P7 75A650V C 2SGTP75V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.42V@IC=75A
sgtp75v65fdb1p4b.pdf
SGTP75V65FDB1P4B 75A650V C1SGTP75V65FDB1P4B Field Stop 5 4GUPSSMPS PFC 3 2E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A
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Liste
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