Справочник IGBT. SGTP75V120FDB2PW

 

SGTP75V120FDB2PW - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGTP75V120FDB2PW
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 833 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 38 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 175 pF
   Тип корпуса: TO247P
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

 

SGTP75V120FDB2PW Datasheet (PDF)

 0.1. Size:537K  silan
sgtp75v120fdb2pw4.pdf pdf_icon

SGTP75V120FDB2PW
SGTP75V120FDB2PW

SGTP75V120FDB2PW4 75A1200V C1SGTP75V120FDB2PW4 4Field Stop 5GUPSSMPS PFC 3 2E 75A1200VVCE(sat)( )=1.9V@IC=

 0.2. Size:483K  silan
sgtp75v120fdb2pw.pdf pdf_icon

SGTP75V120FDB2PW
SGTP75V120FDB2PW

SGTP75V120FDB2PW 75A1200V C 2SGTP75V120FDB2PW 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3 E 75A1200VVCE(sat)( )=1.9V@IC=75A

 7.1. Size:477K  silan
sgtp75v65fdb1p7.pdf pdf_icon

SGTP75V120FDB2PW
SGTP75V120FDB2PW

SGTP75V65FDB1P7 75A650V C 2SGTP75V65FDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A

 7.2. Size:562K  silan
sgtp75v65sds1p7.pdf pdf_icon

SGTP75V120FDB2PW
SGTP75V120FDB2PW

SGTP75V65SDS1P7 75A650V C 2SGTP75V65SDS1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.42V@IC=75A

Другие IGBT... SGTP50V60SD2PF , SGTP50V65FD2PU , SGTP50V65FDB1P7 , SGTP50V65SDB1P7 , SGTP50V65UF1P7 , SGTP50V65UFCR3P7 , SGTP5T60SD1DTR , SGTP5T60SD1STR , MBQ50T65FESC , SGTP75V120FDB2PW4 , SGTP75V65FDB1P4B , SGTP75V65FDB1P7 , SGTP75V65SDB1P7 , SGTP75V65SDS1P7 , SGTQ160V65SDB1APW , SGTQ160V65SDB1APWA , SGTQ200V75SDB1PWA .

 

 
Back to Top