SGTP75V120FDB2PW - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGTP75V120FDB2PW
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: P75V120FDB2
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 833 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 38 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 175 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 234 nC
Тип корпуса: TO247P
Аналог (замена) для SGTP75V120FDB2PW
SGTP75V120FDB2PW Datasheet (PDF)
sgtp75v120fdb2pw4.pdf
SGTP75V120FDB2PW4 75A1200V C1SGTP75V120FDB2PW4 4Field Stop 5GUPSSMPS PFC 3 2E 75A1200VVCE(sat)( )=1.9V@IC=
sgtp75v120fdb2pw.pdf
SGTP75V120FDB2PW 75A1200V C 2SGTP75V120FDB2PW 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3 E 75A1200VVCE(sat)( )=1.9V@IC=75A
sgtp75v65fdb1p7.pdf
SGTP75V65FDB1P7 75A650V C 2SGTP75V65FDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A
sgtp75v65sds1p7.pdf
SGTP75V65SDS1P7 75A650V C 2SGTP75V65SDS1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.42V@IC=75A
sgtp75v65sdb1p7.pdf
SGTP75V65SDB1P7 75A650V C 2SGTP75V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.42V@IC=75A
sgtp75v65fdb1p4b.pdf
SGTP75V65FDB1P4B 75A650V C1SGTP75V65FDB1P4B Field Stop 5 4GUPSSMPS PFC 3 2E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2