SGTP75V120FDB2PW4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGTP75V120FDB2PW4
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 833 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 31 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 175 pF
Encapsulados: TO247P-4L
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SGTP75V120FDB2PW4 datasheet
sgtp75v120fdb2pw4.pdf
SGTP75V120FDB2PW4 75A 1200V C 1 SGTP75V120FDB2PW4 4 Field Stop 5 G UPS SMPS PFC 3 2 E 75A 1200V VCE(sat)( )=1.9V@IC=
sgtp75v120fdb2pw.pdf
SGTP75V120FDB2PW 75A 1200V C 2 SGTP75V120FDB2PW 1 G Field Stop 5 UPS SMPS PFC 3 E 75A 1200V VCE(sat)( )=1.9V@IC=75A
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History: SGTQ200V75SDB1PWA
History: SGTQ200V75SDB1PWA
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