SGTP75V120FDB2PW4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGTP75V120FDB2PW4
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: P75V120FDB2
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 833 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 31 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 175 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 234 nC
Тип корпуса: TO247P-4L
Аналог (замена) для SGTP75V120FDB2PW4
SGTP75V120FDB2PW4 Datasheet (PDF)
sgtp75v120fdb2pw4.pdf
SGTP75V120FDB2PW4 75A1200V C1SGTP75V120FDB2PW4 4Field Stop 5GUPSSMPS PFC 3 2E 75A1200VVCE(sat)( )=1.9V@IC=
sgtp75v120fdb2pw.pdf
SGTP75V120FDB2PW 75A1200V C 2SGTP75V120FDB2PW 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3 E 75A1200VVCE(sat)( )=1.9V@IC=75A
sgtp75v65fdb1p7.pdf
SGTP75V65FDB1P7 75A650V C 2SGTP75V65FDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A
sgtp75v65sds1p7.pdf
SGTP75V65SDS1P7 75A650V C 2SGTP75V65SDS1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.42V@IC=75A
Другие IGBT... SGTP50V65FD2PU , SGTP50V65FDB1P7 , SGTP50V65SDB1P7 , SGTP50V65UF1P7 , SGTP50V65UFCR3P7 , SGTP5T60SD1DTR , SGTP5T60SD1STR , SGTP75V120FDB2PW , MBQ40T65FDSC , SGTP75V65FDB1P4B , SGTP75V65FDB1P7 , SGTP75V65SDB1P7 , SGTP75V65SDS1P7 , SGTQ160V65SDB1APW , SGTQ160V65SDB1APWA , SGTQ200V75SDB1PWA , SGTQ200V75SDB1PWD .
History: APTGF50X120TE3
History: APTGF50X120TE3
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet | mje15032g | irf1404