Справочник IGBT. SGTP75V120FDB2PW4

 

SGTP75V120FDB2PW4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGTP75V120FDB2PW4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 833 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 31 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 175 pF
   Тип корпуса: TO247P-4L
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SGTP75V120FDB2PW4 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:537K  silan
 sgtp75v120fdb2pw4.pdf pdf_icon

SGTP75V120FDB2PW4

SGTP75V120FDB2PW4 75A1200V C1SGTP75V120FDB2PW4 4Field Stop 5GUPSSMPS PFC 3 2E 75A1200VVCE(sat)( )=1.9V@IC=

 0.2. Size:483K  silan
 sgtp75v120fdb2pw.pdf pdf_icon

SGTP75V120FDB2PW4

SGTP75V120FDB2PW 75A1200V C 2SGTP75V120FDB2PW 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3 E 75A1200VVCE(sat)( )=1.9V@IC=75A

 7.1. Size:477K  silan
 sgtp75v65fdb1p7.pdf pdf_icon

SGTP75V120FDB2PW4

SGTP75V65FDB1P7 75A650V C 2SGTP75V65FDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A

 7.2. Size:562K  silan
 sgtp75v65sds1p7.pdf pdf_icon

SGTP75V120FDB2PW4

SGTP75V65SDS1P7 75A650V C 2SGTP75V65SDS1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.42V@IC=75A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IXGH16N170A | SIW50N65G2H2G | IKQ100N60TA | MG17200D-BN4MM | VS-GB50LA120UX | APT30GT60BRD | IXGC16N60B2

 

 
Back to Top

 


 
.