SGTP75V120FDB2PW4 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGTP75V120FDB2PW4  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 833 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 31 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 175 pF

Тип корпуса: TO247P-4L

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SGTP75V120FDB2PW4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGTP75V120FDB2PW4 даташит

 0.1. Size:537K  silan
 sgtp75v120fdb2pw4.pdf pdf_icon

SGTP75V120FDB2PW4

SGTP75V120FDB2PW4 75A 1200V C 1 SGTP75V120FDB2PW4 4 Field Stop 5 G UPS SMPS PFC 3 2 E 75A 1200V VCE(sat)( )=1.9V@IC=

 0.2. Size:483K  silan
 sgtp75v120fdb2pw.pdf pdf_icon

SGTP75V120FDB2PW4

SGTP75V120FDB2PW 75A 1200V C 2 SGTP75V120FDB2PW 1 G Field Stop 5 UPS SMPS PFC 3 E 75A 1200V VCE(sat)( )=1.9V@IC=75A

 7.1. Size:477K  silan
 sgtp75v65fdb1p7.pdf pdf_icon

SGTP75V120FDB2PW4

 7.2. Size:562K  silan
 sgtp75v65sds1p7.pdf pdf_icon

SGTP75V120FDB2PW4

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SGTP50V65FD2PU, SGTP50V65FDB1P7, SGTP50V65SDB1P7, SGTP50V65UF1P7, SGTP50V65UFCR3P7, SGTP5T60SD1DTR, SGTP5T60SD1STR, SGTP75V120FDB2PW, MGD623S, SGTP75V65FDB1P4B, SGTP75V65FDB1P7, SGTP75V65SDB1P7, SGTP75V65SDS1P7, SGTQ160V65SDB1APW, SGTQ160V65SDB1APWA, SGTQ200V75SDB1PWA, SGTQ200V75SDB1PWD