SGTP75V65FDB1P4B Todos los transistores

 

SGTP75V65FDB1P4B - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGTP75V65FDB1P4B
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 375 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 44 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 132 pF
   Paquete / Cubierta: TO247B-4L
     - Selección de transistores por parámetros

 

SGTP75V65FDB1P4B Datasheet (PDF)

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SGTP75V65FDB1P4B

SGTP75V65FDB1P7 75A650V C 2SGTP75V65FDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A

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SGTP75V65FDB1P4B

SGTP75V65FDB1P4B 75A650V C1SGTP75V65FDB1P4B Field Stop 5 4GUPSSMPS PFC 3 2E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A

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SGTP75V65FDB1P4B

SGTP75V65SDS1P7 75A650V C 2SGTP75V65SDS1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.42V@IC=75A

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SGTP75V65FDB1P4B

SGTP75V65SDB1P7 75A650V C 2SGTP75V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.42V@IC=75A

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History: APTGF25X120E2 | MMG150S120B6TN | GT80J101 | SGT20T60SD1T | BLG40T120FUH-F | APTLGF210U120T

 

 
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