SGTP75V65FDB1P4B Todos los transistores

 

SGTP75V65FDB1P4B - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGTP75V65FDB1P4B
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: P75V65FDB1
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Máxima potencia disipada (Pc), W: 375
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 150
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.65
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 4.8
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 44
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 132
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 186
   Paquete / Cubierta: TO247B-4L

 Búsqueda de reemplazo de SGTP75V65FDB1P4B - IGBT

 

SGTP75V65FDB1P4B Datasheet (PDF)

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SGTP75V65FDB1P4B
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SGTP75V65FDB1P7 75A650V C 2SGTP75V65FDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A

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SGTP75V65FDB1P4B
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SGTP75V65FDB1P4B 75A650V C1SGTP75V65FDB1P4B Field Stop 5 4GUPSSMPS PFC 3 2E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A

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SGTP75V65FDB1P4B
SGTP75V65FDB1P4B

SGTP75V65SDS1P7 75A650V C 2SGTP75V65SDS1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.42V@IC=75A

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SGTP75V65FDB1P4B
SGTP75V65FDB1P4B

SGTP75V65SDB1P7 75A650V C 2SGTP75V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.42V@IC=75A

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