Справочник IGBT. SGTP75V65FDB1P4B

 

SGTP75V65FDB1P4B - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGTP75V65FDB1P4B
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: P75V65FDB1
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 375
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 150
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.65
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 4.8
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 44
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 132
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 186
   Тип корпуса: TO247B-4L

 Аналог (замена) для SGTP75V65FDB1P4B

 

 

SGTP75V65FDB1P4B Datasheet (PDF)

 0.1. Size:477K  silan
 sgtp75v65fdb1p7.pdf

SGTP75V65FDB1P4B SGTP75V65FDB1P4B

SGTP75V65FDB1P7 75A650V C 2SGTP75V65FDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A

 0.2. Size:455K  silan
 sgtp75v65fdb1p4b.pdf

SGTP75V65FDB1P4B SGTP75V65FDB1P4B

SGTP75V65FDB1P4B 75A650V C1SGTP75V65FDB1P4B Field Stop 5 4GUPSSMPS PFC 3 2E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A

 5.1. Size:562K  silan
 sgtp75v65sds1p7.pdf

SGTP75V65FDB1P4B SGTP75V65FDB1P4B

SGTP75V65SDS1P7 75A650V C 2SGTP75V65SDS1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.42V@IC=75A

 5.2. Size:461K  silan
 sgtp75v65sdb1p7.pdf

SGTP75V65FDB1P4B SGTP75V65FDB1P4B

SGTP75V65SDB1P7 75A650V C 2SGTP75V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.42V@IC=75A

Другие IGBT... SGTP50V65FDB1P7 , SGTP50V65SDB1P7 , SGTP50V65UF1P7 , SGTP50V65UFCR3P7 , SGTP5T60SD1DTR , SGTP5T60SD1STR , SGTP75V120FDB2PW , SGTP75V120FDB2PW4 , TGAN20N135FD , SGTP75V65FDB1P7 , SGTP75V65SDB1P7 , SGTP75V65SDS1P7 , SGTQ160V65SDB1APW , SGTQ160V65SDB1APWA , SGTQ200V75SDB1PWA , SGTQ200V75SDB1PWD , SGTQ30NE40I1DTR .

 

 
Back to Top