SGTP75V65SDS1P7 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGTP75V65SDS1P7 📄📄

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 395 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.42 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 63 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 182 pF

Encapsulados: TO247

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Búsqueda de reemplazo de SGTP75V65SDS1P7 IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

SGTP75V65SDS1P7 datasheet

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SGTP75V65FDB1P4B 75A 650V C 1 SGTP75V65FDB1P4B Field Stop 5 4 G UPS SMPS PFC 3 2 E 75A 650V VCE(sat)( )=1.65V@IC=75A