Справочник IGBT. SGTP75V65SDS1P7

 

SGTP75V65SDS1P7 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: SGTP75V65SDS1P7

Тип транзистора: IGBT + Diode

Маркировка: P75V65SDS1

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 395

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 150

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.42

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175

Время нарастания типовое (tr), nS: 63

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 182

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 181

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SGTP75V65SDS1P7

 

 

SGTP75V65SDS1P7 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:562K  silan
sgtp75v65sds1p7.pdf

SGTP75V65SDS1P7
SGTP75V65SDS1P7

SGTP75V65SDS1P7 75A650V C 2SGTP75V65SDS1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.42V@IC=75A

 3.1. Size:461K  silan
sgtp75v65sdb1p7.pdf

SGTP75V65SDS1P7
SGTP75V65SDS1P7

SGTP75V65SDB1P7 75A650V C 2SGTP75V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.42V@IC=75A

 5.1. Size:477K  silan
sgtp75v65fdb1p7.pdf

SGTP75V65SDS1P7
SGTP75V65SDS1P7

SGTP75V65FDB1P7 75A650V C 2SGTP75V65FDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A

 5.2. Size:455K  silan
sgtp75v65fdb1p4b.pdf

SGTP75V65SDS1P7
SGTP75V65SDS1P7

SGTP75V65FDB1P4B 75A650V C1SGTP75V65FDB1P4B Field Stop 5 4GUPSSMPS PFC 3 2E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A

Другие IGBT... SGTP50V65UFCR3P7 , SGTP5T60SD1DTR , SGTP5T60SD1STR , SGTP75V120FDB2PW , SGTP75V120FDB2PW4 , SGTP75V65FDB1P4B , SGTP75V65FDB1P7 , SGTP75V65SDB1P7 , IRG4PC40W , SGTQ160V65SDB1APW , SGTQ160V65SDB1APWA , SGTQ200V75SDB1PWA , SGTQ200V75SDB1PWD , SGTQ30NE40I1DTR , SGTQ40T120SDB2P7 , SGT10U60SDM2D , BGF15T65SD .

 

 
Back to Top