Справочник IGBT. SGTP75V65SDS1P7

 

SGTP75V65SDS1P7 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGTP75V65SDS1P7
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: P75V65SDS1
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 395
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 150
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.42
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 63
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 182
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 181
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SGTP75V65SDS1P7

 

 

SGTP75V65SDS1P7 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:562K  silan
 sgtp75v65sds1p7.pdf

SGTP75V65SDS1P7 SGTP75V65SDS1P7

SGTP75V65SDS1P7 75A650V C 2SGTP75V65SDS1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.42V@IC=75A

 3.1. Size:461K  silan
 sgtp75v65sdb1p7.pdf

SGTP75V65SDS1P7 SGTP75V65SDS1P7

SGTP75V65SDB1P7 75A650V C 2SGTP75V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.42V@IC=75A

 5.1. Size:477K  silan
 sgtp75v65fdb1p7.pdf

SGTP75V65SDS1P7 SGTP75V65SDS1P7

SGTP75V65FDB1P7 75A650V C 2SGTP75V65FDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A

 5.2. Size:455K  silan
 sgtp75v65fdb1p4b.pdf

SGTP75V65SDS1P7 SGTP75V65SDS1P7

SGTP75V65FDB1P4B 75A650V C1SGTP75V65FDB1P4B Field Stop 5 4GUPSSMPS PFC 3 2E 75A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=75A

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top