SGTP75V65SDS1P7 - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

SGTP75V65SDS1P7 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SGTP75V65SDS1P7
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: P75V65SDS1
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 395 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.42 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 63 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 182 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 181 nC
   Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SGTP75V65SDS1P7