SGTQ160V65SDB1APW IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGTQ160V65SDB1APW
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 882 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.42 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 62 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 498 pF
Encapsulados: TO247P
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SGTQ160V65SDB1APW datasheet
sgtq160v65sdb1apw sgtq160v65sdb1apwa.pdf
SGTQ160V65SDB1APW(PWA) 160A 650V C 2 SGTQ160V65SDB1APW(PWA) 1 G Field Stop 5 Motor Drives DC/AC converter 3 E VCE(sat)=1.4
Otros transistores... SGTP5T60SD1DTR , SGTP5T60SD1STR , SGTP75V120FDB2PW , SGTP75V120FDB2PW4 , SGTP75V65FDB1P4B , SGTP75V65FDB1P7 , SGTP75V65SDB1P7 , SGTP75V65SDS1P7 , IKW40N65WR5 , SGTQ160V65SDB1APWA , SGTQ200V75SDB1PWA , SGTQ200V75SDB1PWD , SGTQ30NE40I1DTR , SGTQ40T120SDB2P7 , SGT10U60SDM2D , BGF15T65SD , SL15T65FF .
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