Справочник IGBT. SGTQ160V65SDB1APW

 

SGTQ160V65SDB1APW - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGTQ160V65SDB1APW
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: Q160V65SDB1A
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 882
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 400
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.42
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.8
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 62
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 498
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 750
   Тип корпуса: TO247P

 Аналог (замена) для SGTQ160V65SDB1APW

 

 

SGTQ160V65SDB1APW Datasheet (PDF)

 0.1. Size:542K  silan
sgtq160v65sdb1apw sgtq160v65sdb1apwa.pdf

SGTQ160V65SDB1APW
SGTQ160V65SDB1APW

SGTQ160V65SDB1APW(PWA) 160A650V C 2SGTQ160V65SDB1APW(PWA)1GField Stop 5 Motor DrivesDC/AC converter 3E VCE(sat)=1.4

Другие IGBT... SGTP5T60SD1DTR , SGTP5T60SD1STR , SGTP75V120FDB2PW , SGTP75V120FDB2PW4 , SGTP75V65FDB1P4B , SGTP75V65FDB1P7 , SGTP75V65SDB1P7 , SGTP75V65SDS1P7 , CRG15T120BNR3S , SGTQ160V65SDB1APWA , SGTQ200V75SDB1PWA , SGTQ200V75SDB1PWD , SGTQ30NE40I1DTR , SGTQ40T120SDB2P7 , SGT10U60SDM2D , BGF15T65SD , SL15T65FF .

 

 
Back to Top