Справочник IGBT. SGTQ160V65SDB1APW

 

SGTQ160V65SDB1APW - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: SGTQ160V65SDB1APW

Тип транзистора: IGBT + Diode

Маркировка: Q160V65SDB1A

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 882

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 400

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.42

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.8

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175

Время нарастания типовое (tr), nS: 62

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 498

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 750

Тип корпуса: TO247P

Аналог (замена) для SGTQ160V65SDB1APW

 

 

SGTQ160V65SDB1APW Datasheet (PDF)

 0.1. Size:542K  silan
sgtq160v65sdb1apw sgtq160v65sdb1apwa.pdf

SGTQ160V65SDB1APW
SGTQ160V65SDB1APW

SGTQ160V65SDB1APW(PWA) 160A650V C 2SGTQ160V65SDB1APW(PWA)1GField Stop 5 Motor DrivesDC/AC converter 3E VCE(sat)=1.4

Другие IGBT... SGTP5T60SD1DTR , SGTP5T60SD1STR , SGTP75V120FDB2PW , SGTP75V120FDB2PW4 , SGTP75V65FDB1P4B , SGTP75V65FDB1P7 , SGTP75V65SDB1P7 , SGTP75V65SDS1P7 , IRG4PH50UD , SGTQ160V65SDB1APWA , SGTQ200V75SDB1PWA , SGTQ200V75SDB1PWD , SGTQ30NE40I1DTR , SGTQ40T120SDB2P7 , SGT10U60SDM2D , BGF15T65SD , SL15T65FF .

 

 
Back to Top