SGTQ160V65SDB1APWA Todos los transistores

 

SGTQ160V65SDB1APWA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGTQ160V65SDB1APWA
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: Q160V65SDB1A
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 882 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.42 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.8 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 62 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 498 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 750 nC
   Paquete / Cubierta: TO247PN

 Búsqueda de reemplazo de SGTQ160V65SDB1APWA - IGBT

 

SGTQ160V65SDB1APWA Datasheet (PDF)

 0.1. Size:542K  silan
sgtq160v65sdb1apw sgtq160v65sdb1apwa.pdf

SGTQ160V65SDB1APWA
SGTQ160V65SDB1APWA

SGTQ160V65SDB1APW(PWA) 160A650V C 2SGTQ160V65SDB1APW(PWA)1GField Stop 5 Motor DrivesDC/AC converter 3E VCE(sat)=1.4

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


SGTQ160V65SDB1APWA
  SGTQ160V65SDB1APWA
  SGTQ160V65SDB1APWA
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores

IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2

 

 

 
Back to Top