SGTQ160V65SDB1APWA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGTQ160V65SDB1APWA
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 882 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.42 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 62 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 498 pF
Paquete / Cubierta: TO247PN
Búsqueda de reemplazo de SGTQ160V65SDB1APWA IGBT
SGTQ160V65SDB1APWA Datasheet (PDF)
sgtq160v65sdb1apw sgtq160v65sdb1apwa.pdf
SGTQ160V65SDB1APW(PWA) 160A650V C 2SGTQ160V65SDB1APW(PWA)1GField Stop 5 Motor DrivesDC/AC converter 3E VCE(sat)=1.4
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History: IGC189T120T6RL | GT60M302
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