Справочник IGBT. SGTQ160V65SDB1APWA

 

SGTQ160V65SDB1APWA Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGTQ160V65SDB1APWA
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 882 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.42 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 62 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 498 pF
   Тип корпуса: TO247PN
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SGTQ160V65SDB1APWA Datasheet (PDF)

 0.1. Size:542K  silan
sgtq160v65sdb1apw sgtq160v65sdb1apwa.pdfpdf_icon

SGTQ160V65SDB1APWA

SGTQ160V65SDB1APW(PWA) 160A650V C 2SGTQ160V65SDB1APW(PWA)1GField Stop 5 Motor DrivesDC/AC converter 3E VCE(sat)=1.4

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: APTGF75DA60D1 | JNG40T65HYU1 | IKW40N65F5 | MUBW20-06A7 | IXYH40N65C3H1 | CM300DU-12F | 7MBR25LC120

 

 
Back to Top

 


 
.