SGTQ160V65SDB1APWA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGTQ160V65SDB1APWA  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 882 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.42 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 62 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 498 pF

Тип корпуса: TO247PN

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SGTQ160V65SDB1APWA

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGTQ160V65SDB1APWA даташит

 0.1. Size:542K  silan
 sgtq160v65sdb1apw sgtq160v65sdb1apwa.pdf pdf_icon

SGTQ160V65SDB1APWA

SGTQ160V65SDB1APW(PWA) 160A 650V C 2 SGTQ160V65SDB1APW(PWA) 1 G Field Stop 5 Motor Drives DC/AC converter 3 E VCE(sat)=1.4

Другие IGBT... SGTP5T60SD1STR, SGTP75V120FDB2PW, SGTP75V120FDB2PW4, SGTP75V65FDB1P4B, SGTP75V65FDB1P7, SGTP75V65SDB1P7, SGTP75V65SDS1P7, SGTQ160V65SDB1APW, FGH30S130P, SGTQ200V75SDB1PWA, SGTQ200V75SDB1PWD, SGTQ30NE40I1DTR, SGTQ40T120SDB2P7, SGT10U60SDM2D, BGF15T65SD, SL15T65FF, SL15T65F