SGTQ160V65SDB1APWA - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SGTQ160V65SDB1APWA
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: Q160V65SDB1A
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 882
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 400
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.42
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.8
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 62
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 498
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 750
   Тип корпуса: TO247PN

 Аналог (замена) для SGTQ160V65SDB1APWA

 

 

SGTQ160V65SDB1APWA Datasheet (PDF)

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .