SGTQ200V75SDB1PWD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGTQ200V75SDB1PWD
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1000 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 750 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 112 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 498 pF
Paquete / Cubierta: TO247PD
- Selección de transistores por parámetros
SGTQ200V75SDB1PWD Datasheet (PDF)
sgtq200v75sdb1pwa.pdf
SGTQ200V75SDB1PWA 200A750V C 2SGTQ200V75SDB1PWA 1GField Stop 5 Motor DrivesDC/AC converter 3 E VCE(sat)=1.42V(
sgtq200v75sdb1pwd.pdf
SGTQ200V75SDB1PWD 200A750V C 2SGTQ200V75SDB1PWD 1GField Stop 5 Motor DrivesDC/AC converter 3 E VCE(sat)=1.50V( )@IC
Otros transistores... SGTP75V120FDB2PW4 , SGTP75V65FDB1P4B , SGTP75V65FDB1P7 , SGTP75V65SDB1P7 , SGTP75V65SDS1P7 , SGTQ160V65SDB1APW , SGTQ160V65SDB1APWA , SGTQ200V75SDB1PWA , BT15T120ANF , SGTQ30NE40I1DTR , SGTQ40T120SDB2P7 , SGT10U60SDM2D , BGF15T65SD , SL15T65FF , SL15T65F , SL15T65FK , SL20T65F .
History: BLG40T120FUH-F | APTGF25X120E2 | GT80J101 | SGT20T60SD1T | MMG150S120B6TN | APTLGF210U120T
History: BLG40T120FUH-F | APTGF25X120E2 | GT80J101 | SGT20T60SD1T | MMG150S120B6TN | APTLGF210U120T
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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