Справочник IGBT. SGTQ200V75SDB1PWD

 

SGTQ200V75SDB1PWD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: SGTQ200V75SDB1PWD

Тип транзистора: IGBT + Diode

Маркировка: Q200V75PWD

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 1000

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 750

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 200

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.5

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.8

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175

Время нарастания типовое (tr), nS: 112

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 498

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 750

Тип корпуса: TO247PD

Аналог (замена) для SGTQ200V75SDB1PWD

 

 

SGTQ200V75SDB1PWD Datasheet (PDF)

 0.1. Size:501K  silan
sgtq200v75sdb1pwa.pdf

SGTQ200V75SDB1PWD
SGTQ200V75SDB1PWD

SGTQ200V75SDB1PWA 200A750V C 2SGTQ200V75SDB1PWA 1GField Stop 5 Motor DrivesDC/AC converter 3 E VCE(sat)=1.42V(

 0.2. Size:568K  silan
sgtq200v75sdb1pwd.pdf

SGTQ200V75SDB1PWD
SGTQ200V75SDB1PWD

SGTQ200V75SDB1PWD 200A750V C 2SGTQ200V75SDB1PWD 1GField Stop 5 Motor DrivesDC/AC converter 3 E VCE(sat)=1.50V( )@IC

Другие IGBT... SGTP75V120FDB2PW4 , SGTP75V65FDB1P4B , SGTP75V65FDB1P7 , SGTP75V65SDB1P7 , SGTP75V65SDS1P7 , SGTQ160V65SDB1APW , SGTQ160V65SDB1APWA , SGTQ200V75SDB1PWA , IXRP15N120 , SGTQ30NE40I1DTR , SGTQ40T120SDB2P7 , SGT10U60SDM2D , BGF15T65SD , SL15T65FF , SL15T65F , SL15T65FK , SL20T65F .

 

 
Back to Top