Справочник IGBT. SGTQ200V75SDB1PWD

 

SGTQ200V75SDB1PWD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGTQ200V75SDB1PWD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 750 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 112 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 498 pF
   Тип корпуса: TO247PD
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

 

SGTQ200V75SDB1PWD Datasheet (PDF)

 0.1. Size:501K  silan
sgtq200v75sdb1pwa.pdf pdf_icon

SGTQ200V75SDB1PWD
SGTQ200V75SDB1PWD

SGTQ200V75SDB1PWA 200A750V C 2SGTQ200V75SDB1PWA 1GField Stop 5 Motor DrivesDC/AC converter 3 E VCE(sat)=1.42V(

 0.2. Size:568K  silan
sgtq200v75sdb1pwd.pdf pdf_icon

SGTQ200V75SDB1PWD
SGTQ200V75SDB1PWD

SGTQ200V75SDB1PWD 200A750V C 2SGTQ200V75SDB1PWD 1GField Stop 5 Motor DrivesDC/AC converter 3 E VCE(sat)=1.50V( )@IC

Другие IGBT... SGTP75V120FDB2PW4 , SGTP75V65FDB1P4B , SGTP75V65FDB1P7 , SGTP75V65SDB1P7 , SGTP75V65SDS1P7 , SGTQ160V65SDB1APW , SGTQ160V65SDB1APWA , SGTQ200V75SDB1PWA , BT15T120ANF , SGTQ30NE40I1DTR , SGTQ40T120SDB2P7 , SGT10U60SDM2D , BGF15T65SD , SL15T65FF , SL15T65F , SL15T65FK , SL20T65F .

 

 
Back to Top