SGTQ200V75SDB1PWD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGTQ200V75SDB1PWD
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 750 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 112 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 498 pF
Тип корпуса: TO247PD
Аналог (замена) для SGTQ200V75SDB1PWD
SGTQ200V75SDB1PWD Datasheet (PDF)
0.1. Size:501K silan
sgtq200v75sdb1pwa.pdf
sgtq200v75sdb1pwa.pdf
SGTQ200V75SDB1PWA 200A750V C 2SGTQ200V75SDB1PWA 1GField Stop 5 Motor DrivesDC/AC converter 3 E VCE(sat)=1.42V(
0.2. Size:568K silan
sgtq200v75sdb1pwd.pdf
sgtq200v75sdb1pwd.pdf
SGTQ200V75SDB1PWD 200A750V C 2SGTQ200V75SDB1PWD 1GField Stop 5 Motor DrivesDC/AC converter 3 E VCE(sat)=1.50V( )@IC
Другие IGBT... SGTP75V120FDB2PW4 , SGTP75V65FDB1P4B , SGTP75V65FDB1P7 , SGTP75V65SDB1P7 , SGTP75V65SDS1P7 , SGTQ160V65SDB1APW , SGTQ160V65SDB1APWA , SGTQ200V75SDB1PWA , FGW75N60HD , SGTQ30NE40I1DTR , SGTQ40T120SDB2P7 , SGT10U60SDM2D , BGF15T65SD , SL15T65FF , SL15T65F , SL15T65FK , SL20T65F .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565