SGTQ200V75SDB1PWD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGTQ200V75SDB1PWD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: Q200V75PWD
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 1000
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 750
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.8
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 112
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 498
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 750
Тип корпуса: TO247PD
Аналог (замена) для SGTQ200V75SDB1PWD
SGTQ200V75SDB1PWD Datasheet (PDF)
sgtq200v75sdb1pwa.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SGTQ200V75SDB1PWA 200A750V C 2SGTQ200V75SDB1PWA 1GField Stop 5 Motor DrivesDC/AC converter 3 E VCE(sat)=1.42V(
sgtq200v75sdb1pwd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SGTQ200V75SDB1PWD 200A750V C 2SGTQ200V75SDB1PWD 1GField Stop 5 Motor DrivesDC/AC converter 3 E VCE(sat)=1.50V( )@IC
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
![SGTQ200V75SDB1PWD](https://alltransistors.com/images/us.png)
![SGTQ200V75SDB1PWD](https://alltransistors.com/images/es.png)
![SGTQ200V75SDB1PWD](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ