SGTQ200V75SDB1PWD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SGTQ200V75SDB1PWD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: Q200V75PWD
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 750 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 112 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 498 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 750 nC
   Тип корпуса: TO247PD

 Аналог (замена) для SGTQ200V75SDB1PWD

 

 

SGTQ200V75SDB1PWD Datasheet (PDF)

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .