SGTQ200V75SDB1PWD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGTQ200V75SDB1PWD  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 750 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 112 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 498 pF

Тип корпуса: TO247PD

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SGTQ200V75SDB1PWD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGTQ200V75SDB1PWD даташит

 0.1. Size:501K  silan
 sgtq200v75sdb1pwa.pdf pdf_icon

SGTQ200V75SDB1PWD

 0.2. Size:568K  silan
 sgtq200v75sdb1pwd.pdf pdf_icon

SGTQ200V75SDB1PWD

SGTQ200V75SDB1PWD 200A 750V C 2 SGTQ200V75SDB1PWD 1 G Field Stop 5 Motor Drives DC/AC converter 3 E VCE(sat)=1.50V( )@IC

Другие IGBT... SGTP75V120FDB2PW4, SGTP75V65FDB1P4B, SGTP75V65FDB1P7, SGTP75V65SDB1P7, SGTP75V65SDS1P7, SGTQ160V65SDB1APW, SGTQ160V65SDB1APWA, SGTQ200V75SDB1PWA, BT60T60ANFK, SGTQ30NE40I1DTR, SGTQ40T120SDB2P7, SGT10U60SDM2D, BGF15T65SD, SL15T65FF, SL15T65F, SL15T65FK, SL20T65F