SGTQ30NE40I1DTR Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGTQ30NE40I1DTR  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 28 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.3 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 179 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 58 pF

Encapsulados: TO252

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SGTQ30NE40I1DTR datasheet

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SGTQ30NE40I1DTR

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