Справочник IGBT. SGTQ30NE40I1DTR

 

SGTQ30NE40I1DTR - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: SGTQ30NE40I1DTR

Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes

Маркировка: Q30NE40I

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 150

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 400

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 28

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.3

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 1.7(typ)

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175

Время нарастания типовое (tr), nS: 179

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 58

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 13

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SGTQ30NE40I1DTR

 

 

SGTQ30NE40I1DTR Datasheet (PDF)

 0.1. Size:418K  silan
sgtq30ne40i1dtr.pdf

SGTQ30NE40I1DTR
SGTQ30NE40I1DTR

SGTQ30NE40I1D 30A400V COLLECTOR SGTQ30NE40I1D R1GATE R2 EMITTER T =175C Jmax13TO-252-2L SGT Q 30 NE 40 I 1 DIGBT,

Другие IGBT... SGTP75V65FDB1P4B , SGTP75V65FDB1P7 , SGTP75V65SDB1P7 , SGTP75V65SDS1P7 , SGTQ160V65SDB1APW , SGTQ160V65SDB1APWA , SGTQ200V75SDB1PWA , SGTQ200V75SDB1PWD , SGP30N60 , SGTQ40T120SDB2P7 , SGT10U60SDM2D , BGF15T65SD , SL15T65FF , SL15T65F , SL15T65FK , SL20T65F , SL20T65 .

 

 
Back to Top