SGTQ30NE40I1DTR - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGTQ30NE40I1DTR
Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
Маркировка: Q30NE40I
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 150
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 400
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 28
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.3
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 1.7(typ)
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 179
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 58
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 13
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SGTQ30NE40I1DTR
SGTQ30NE40I1DTR Datasheet (PDF)
0.1. Size:418K silan
sgtq30ne40i1dtr.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
sgtq30ne40i1dtr.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SGTQ30NE40I1D 30A400V COLLECTOR SGTQ30NE40I1D R1GATE R2 EMITTER T =175C Jmax13TO-252-2L SGT Q 30 NE 40 I 1 DIGBT,
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
![SGTQ30NE40I1DTR](https://alltransistors.com/images/us.png)
![SGTQ30NE40I1DTR](https://alltransistors.com/images/es.png)
![SGTQ30NE40I1DTR](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ