SGTQ40T120SDB2P7 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGTQ40T120SDB2P7
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: Q40T120SDB2
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 429
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 80
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.75
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7.4
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 28
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 197
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 267
Paquete / Cubierta: TO247
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SGTQ40T120SDB2P7 Datasheet (PDF)
sgtq40t120sdb2p7.pdf
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SGTQ40T120SDB2P7 40A1200V C 2SGTQ40T120SDB2P7 1GTrench Field Stop IVUPSSMPS PFC 3E 40A1200VVCE(sat)(
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