Справочник IGBT. SGTQ40T120SDB2P7

 

SGTQ40T120SDB2P7 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: SGTQ40T120SDB2P7

Тип транзистора: IGBT + Diode

Маркировка: Q40T120SDB2

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 429

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.75

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7.4

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175

Время нарастания типовое (tr), nS: 28

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 197

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 267

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SGTQ40T120SDB2P7

 

 

SGTQ40T120SDB2P7 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:449K  silan
sgtq40t120sdb2p7.pdf

SGTQ40T120SDB2P7
SGTQ40T120SDB2P7

SGTQ40T120SDB2P7 40A1200V C 2SGTQ40T120SDB2P7 1GTrench Field Stop IVUPSSMPS PFC 3E 40A1200VVCE(sat)(

Другие IGBT... SGTP75V65FDB1P7 , SGTP75V65SDB1P7 , SGTP75V65SDS1P7 , SGTQ160V65SDB1APW , SGTQ160V65SDB1APWA , SGTQ200V75SDB1PWA , SGTQ200V75SDB1PWD , SGTQ30NE40I1DTR , IRGP4068D , SGT10U60SDM2D , BGF15T65SD , SL15T65FF , SL15T65F , SL15T65FK , SL20T65F , SL20T65 , SL20T65FZ .

 

 
Back to Top