BGF15T65SD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BGF15T65SD
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: 15T65SD
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 37.5
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 30
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.8
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 59
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 63
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 21.1
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de BGF15T65SD - IGBT
BGF15T65SD Datasheet (PDF)
bgf15t65sd.pdf
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Liste
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