BGF15T65SD - аналоги и описание IGBT

 

BGF15T65SD - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: BGF15T65SD

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.5 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 59 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 63 pF

Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для BGF15T65SD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BGF15T65SD даташит

 ..1. Size:926K  1
 bgf15t65sd.pdf pdf_icon

BGF15T65SD

BGF15T65SD IGBT in advanced TrenchFS Technology with soft and fast recovery anti-parallel diode TrenchFS IGBT Features 650V TrenchFS technology 650V Low conduction and switching losses Positive temperature coefficient Short Cir

Другие IGBT... SGTP75V65SDS1P7 , SGTQ160V65SDB1APW , SGTQ160V65SDB1APWA , SGTQ200V75SDB1PWA , SGTQ200V75SDB1PWD , SGTQ30NE40I1DTR , SGTQ40T120SDB2P7 , SGT10U60SDM2D , GT30J122 , SL15T65FF , SL15T65F , SL15T65FK , SL20T65F , SL20T65 , SL20T65FZ , SL20T65FL , SL20T65FL1 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.