Справочник IGBT. BGF15T65SD

 

BGF15T65SD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BGF15T65SD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 15T65SD
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.5 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 59 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 63 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 21.1 nC
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для BGF15T65SD

 

 

BGF15T65SD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:926K  1
 bgf15t65sd.pdf

BGF15T65SD BGF15T65SD

BGF15T65SDIGBT in advanced TrenchFS Technology with soft and fast recovery anti-parallel diode TrenchFS IGBT Features: 650V TrenchFS technology650V Low conduction and switching losses Positive temperature coefficient Short Cir

Другие IGBT... SGTP75V65SDS1P7 , SGTQ160V65SDB1APW , SGTQ160V65SDB1APWA , SGTQ200V75SDB1PWA , SGTQ200V75SDB1PWD , SGTQ30NE40I1DTR , SGTQ40T120SDB2P7 , SGT10U60SDM2D , IHW20N120R2 , SL15T65FF , SL15T65F , SL15T65FK , SL20T65F , SL20T65 , SL20T65FZ , SL20T65FL , SL20T65FL1 .

 

 
Back to Top