Справочник IGBT. BGF15T65SD

 

BGF15T65SD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BGF15T65SD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 15T65SD
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.5 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 59 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 63 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 21.1 nC
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для BGF15T65SD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BGF15T65SD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:926K  1
 bgf15t65sd.pdf pdf_icon

BGF15T65SD

BGF15T65SDIGBT in advanced TrenchFS Technology with soft and fast recovery anti-parallel diode TrenchFS IGBT Features: 650V TrenchFS technology650V Low conduction and switching losses Positive temperature coefficient Short Cir

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: AUIRGS4062D1 | MIAA15WB600TMH

 

 
Back to Top

 


 
.