Справочник IGBT. BGF15T65SD

 

BGF15T65SD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BGF15T65SD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 15T65SD
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 37.5
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 30
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 59
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 63
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 21.1
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для BGF15T65SD

 

 

BGF15T65SD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:926K  1
 bgf15t65sd.pdf

BGF15T65SD BGF15T65SD

BGF15T65SDIGBT in advanced TrenchFS Technology with soft and fast recovery anti-parallel diode TrenchFS IGBT Features: 650V TrenchFS technology650V Low conduction and switching losses Positive temperature coefficient Short Cir

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top