SL40T65FL1 Todos los transistores

 

SL40T65FL1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SL40T65FL1
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Máxima potencia disipada (Pc), W: 375
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 80
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.95
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.8
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 54
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 131
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 219
   Paquete / Cubierta: TO247

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SL40T65FL1 Datasheet (PDF)

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SL40T65FL1
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SL40T65FL1Features High Speed Switching &Low Power Loss V =1.95V@ I =40ACE(sat) C Eoff=0.35mJ@Tc=25 High Input Impedance Trr=80ns(Typ)@diF/dt=1000A/us Maximum junction temperatureT =175CvjmaxApplications UPS PFC Welder IH Cooker PV InverterAbsolute Ratings(Tc=25)Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage

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SL40T65FL1
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SL40T65FL650V 40A IGBTFeatures High Speed Switching & Low Power Loss VCE(sat) = 1.95V @ IC = 40A E = 0.35mJ @ T = 25C off C High Input Impedance t = 80ns (typ.) @di /dt = 1000A/ s rr F Maximum junction temperature 175C Applications PFC Welder UPS IH Cooker PV Inverter TO-247Maximum Rating Parameter Symbol Rating

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