SL40T65FL1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SL40T65FL1  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 54 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 131 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SL40T65FL1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SL40T65FL1 даташит

 ..1. Size:6126K  slkor
 sl40t65fl1.pdf pdf_icon

SL40T65FL1

SL40T65FL1 Features High Speed Switching & Low Power Loss V =1.95V@ I =40A CE(sat) C Eoff=0.35mJ@Tc=25 High Input Impedance Trr=80ns(Typ)@diF/dt=1000A/us Maximum junction temperature T =175 C vjmax Applications UPS PFC Welder IH Cooker PV Inverter Absolute Ratings(Tc=25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector-Emmiter Voltage

 5.1. Size:2004K  slkor
 sl40t65fl.pdf pdf_icon

SL40T65FL1

SL40T65FL 650V 40A IGBT Features High Speed Switching & Low Power Loss VCE(sat) = 1.95V @ IC = 40A E = 0.35mJ @ T = 25 C off C High Input Impedance t = 80ns (typ.) @di /dt = 1000A/ s rr F Maximum junction temperature 175 C Applications PFC Welder UPS IH Cooker PV Inverter TO-247 Maximum Rating Parameter Symbol Rating

Другие IGBT... SL20T65F, SL20T65, SL20T65FZ, SL20T65FL, SL20T65FL1, SL20T65K1, SL20T65F1, SL25T120FL, RJP63K2DPP-M0, SIF30N60G21B, SIP30N60G21B, SIW30N60G21B, SIB30N60G21B, SIF30N65G21F, SIP30N65G21F, SIW30N65G21F, SIB30N65G21F