KDG20N120H2 Todos los transistores

 

KDG20N120H2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KDG20N120H2
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Máxima potencia disipada (Pc), W: 192
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 40
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.3
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 50
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 135
   Paquete / Cubierta: TO247

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KDG20N120H2 Datasheet (PDF)

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KDG20N120H2
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KDG20N120H2 KDG20N120H2 Typical Performance Characteristics Figure1:maximum DC collector current Figure2:power dissipation VS. case temprature VS. case temprature Figure3:forward SOA,TC=25,TJ150 Figure4:reverse bias SOA,TJ=150,VGE=15V www.kedasemi.com - 3 - Rev1.1 November. 2011 Total 9 Pages KDG20N120H2 KDG20N120H2 Figure5:typical IGBT output characteristics

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