KDG20N120H2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KDG20N120H2
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 192
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 40
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.3
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 50
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 135
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 120
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de KDG20N120H2 - IGBT
KDG20N120H2 Datasheet (PDF)
kdg20n120h2.pdf
KDG20N120H2 KDG20N120H2 Typical Performance Characteristics Figure1:maximum DC collector current Figure2:power dissipation VS. case temprature VS. case temprature Figure3:forward SOA,TC=25,TJ150 Figure4:reverse bias SOA,TJ=150,VGE=15V www.kedasemi.com - 3 - Rev1.1 November. 2011 Total 9 Pages KDG20N120H2 KDG20N120H2 Figure5:typical IGBT output characteristics
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Liste
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