KDG20N120H2 Todos los transistores

 

KDG20N120H2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KDG20N120H2
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 192 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 135 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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KDG20N120H2 Datasheet (PDF)

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KDG20N120H2

KDG20N120H2 KDG20N120H2 Typical Performance Characteristics Figure1:maximum DC collector current Figure2:power dissipation VS. case temprature VS. case temprature Figure3:forward SOA,TC=25,TJ150 Figure4:reverse bias SOA,TJ=150,VGE=15V www.kedasemi.com - 3 - Rev1.1 November. 2011 Total 9 Pages KDG20N120H2 KDG20N120H2 Figure5:typical IGBT output characteristics

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History: AOD6B65MQ1E | SKM300GB174D | SRE30N065FSSDG | APT35GA90SD15 | IXGH72N60B3 | NGTB40N60FLWG | VS-GB100NH120N

 

 
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