KDG20N120H2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KDG20N120H2  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT + Diode

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 192 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.5 V

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 135 pF

Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 120 nC

Encapsulados: TO247

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KDG20N120H2 datasheet

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KDG20N120H2

KDG20N120H2 KDG20N120H2 Typical Performance Characteristics Figure1 maximum DC collector current Figure2 power dissipation VS. case temprature VS. case temprature Figure3 forward SOA,TC=25 ,TJ 150 Figure4 reverse bias SOA,TJ=150 ,VGE=15V www.kedasemi.com - 3 - Rev1.1 November. 2011 Total 9 Pages KDG20N120H2 KDG20N120H2 Figure5 typical IGBT output characteristics

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