Справочник IGBT. KDG20N120H2

 

KDG20N120H2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: KDG20N120H2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 135 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для KDG20N120H2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

KDG20N120H2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:785K  1
 kdg20n120h2.pdf pdf_icon

KDG20N120H2

KDG20N120H2 KDG20N120H2 Typical Performance Characteristics Figure1:maximum DC collector current Figure2:power dissipation VS. case temprature VS. case temprature Figure3:forward SOA,TC=25,TJ150 Figure4:reverse bias SOA,TJ=150,VGE=15V www.kedasemi.com - 3 - Rev1.1 November. 2011 Total 9 Pages KDG20N120H2 KDG20N120H2 Figure5:typical IGBT output characteristics

Другие IGBT... SIP30N60G21B , SIW30N60G21B , SIB30N60G21B , SIF30N65G21F , SIP30N65G21F , SIW30N65G21F , SIB30N65G21F , GT40T321 , SGT40N60NPFDPN , SKT030N065 , ATT030N065EQ , ATT040K065EQ , ATT040N120EQ , ATT050K065FQC , ATT060U060EQ , ATT075N065EQ , JT010N065SED .

 

 
Back to Top

 


 
.