KDG20N120H2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: KDG20N120H2  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 135 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для KDG20N120H2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

KDG20N120H2 даташит

 ..1. Size:785K  1
 kdg20n120h2.pdf pdf_icon

KDG20N120H2

KDG20N120H2 KDG20N120H2 Typical Performance Characteristics Figure1 maximum DC collector current Figure2 power dissipation VS. case temprature VS. case temprature Figure3 forward SOA,TC=25 ,TJ 150 Figure4 reverse bias SOA,TJ=150 ,VGE=15V www.kedasemi.com - 3 - Rev1.1 November. 2011 Total 9 Pages KDG20N120H2 KDG20N120H2 Figure5 typical IGBT output characteristics

Другие IGBT... SIP30N60G21B, SIW30N60G21B, SIB30N60G21B, SIF30N65G21F, SIP30N65G21F, SIW30N65G21F, SIB30N65G21F, GT40T321, GT50JR22, SKT030N065, ATT030N065EQ, ATT040K065EQ, ATT040N120EQ, ATT050K065FQC, ATT060U060EQ, ATT075N065EQ, JT010N065SED