SKT030N065 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKT030N065
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 234 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 67 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 160 pF
Paquete / Cubierta: TO247
- Selección de transistores por parámetros
SKT030N065 Datasheet (PDF)
skt030n065.pdf

SKT030N065 IGBT 650V, 30A,Vcesat 1.75VFEATURESProduct SummaryLow gate chargeVDS650VTrench FS Trench FS TechnologyVcesattyp. 1.75VRoHS RoHS productID30AAPPLICATIONS100% DVDS TestedGeneral purpose inverters100% Avalanche TestedUPSUPS SKT030N065Package Markin
Otros transistores... SIW30N60G21B , SIB30N60G21B , SIF30N65G21F , SIP30N65G21F , SIW30N65G21F , SIB30N65G21F , GT40T321 , KDG20N120H2 , FGH60N60SMD , ATT030N065EQ , ATT040K065EQ , ATT040N120EQ , ATT050K065FQC , ATT060U060EQ , ATT075N065EQ , JT010N065SED , JT010N065CED .
History: ISL9V2040S3S | DF160R12W2H3_B11 | APT45GP120B2DF2 | MMG75S120B6C | BSM400GA120DLC | MG100Q2YS50
History: ISL9V2040S3S | DF160R12W2H3_B11 | APT45GP120B2DF2 | MMG75S120B6C | BSM400GA120DLC | MG100Q2YS50



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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