Справочник IGBT. SKT030N065

 

SKT030N065 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKT030N065
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 234 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 67 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 64.5 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SKT030N065

 

 

SKT030N065 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:13779K  cn scilicon
 skt030n065.pdf

SKT030N065 SKT030N065

SKT030N065 IGBT 650V, 30A,Vcesat 1.75VFEATURESProduct SummaryLow gate chargeVDS650VTrench FS Trench FS TechnologyVcesattyp. 1.75VRoHS RoHS productID30AAPPLICATIONS100% DVDS TestedGeneral purpose inverters100% Avalanche TestedUPSUPS SKT030N065Package Markin

Другие IGBT... SIW30N60G21B , SIB30N60G21B , SIF30N65G21F , SIP30N65G21F , SIW30N65G21F , SIB30N65G21F , GT40T321 , KDG20N120H2 , FGH60N60SMD , ATT030N065EQ , ATT040K065EQ , ATT040N120EQ , ATT050K065FQC , ATT060U060EQ , ATT075N065EQ , JT010N065SED , JT010N065CED .

 

 
Back to Top