ATT050K065FQC Todos los transistores

 

ATT050K065FQC - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ATT050K065FQC
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 394 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.35 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 52 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 325 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 153 nC
   Paquete / Cubierta: TO-247-4L
 

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ATT050K065FQC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1052K  jilin sino
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ATT050K065FQC

N N-CHANNEL IGBT RATT050K065FQC MAIN CHARACTERISTICS Package IC 50A VCES 650V Vcesat-typ 1.35V APPLICATIONS Charging pile UPS UPS Solar converters Energy Storage Built in SiC SBD FEATURES Low gate

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History: 2MBI150N-120 | AOK50B65M2 | CM100MXA-24S | ART40U120 | LEGM200BA120L2H | 2MBI100NB-120 | IXGH60N60C2

 

 
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