Справочник IGBT. ATT050K065FQC

 

ATT050K065FQC Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: ATT050K065FQC
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 394 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 52 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 325 pF
   Тип корпуса: TO-247-4L
 

 Аналог (замена) для ATT050K065FQC

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

ATT050K065FQC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1052K  jilin sino
 att050k065fqc.pdf pdf_icon

ATT050K065FQC

N N-CHANNEL IGBT RATT050K065FQC MAIN CHARACTERISTICS Package IC 50A VCES 650V Vcesat-typ 1.35V APPLICATIONS Charging pile UPS UPS Solar converters Energy Storage Built in SiC SBD FEATURES Low gate

Другие IGBT... SIW30N65G21F , SIB30N65G21F , GT40T321 , KDG20N120H2 , SKT030N065 , ATT030N065EQ , ATT040K065EQ , ATT040N120EQ , RJP30H1DPD , ATT060U060EQ , ATT075N065EQ , JT010N065SED , JT010N065CED , JT010N065FED , JT010N065WED , JT015N065SED , JT015N065CED .

 

 
Back to Top

 


 
.