ATT050K065FQC - аналоги и описание IGBT

 

ATT050K065FQC - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: ATT050K065FQC

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 394 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 52 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 325 pF

Тип корпуса: TO-247-4L

 Аналог (замена) для ATT050K065FQC

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

ATT050K065FQC даташит

 ..1. Size:1052K  jilin sino
 att050k065fqc.pdf pdf_icon

ATT050K065FQC

N N-CHANNEL IGBT R ATT050K065FQC MAIN CHARACTERISTICS Package IC 50A VCES 650V Vcesat-typ 1.35V APPLICATIONS Charging pile UPS UPS Solar converters Energy Storage Built in SiC SBD FEATURES Low gate

Другие IGBT... SIW30N65G21F , SIB30N65G21F , GT40T321 , KDG20N120H2 , SKT030N065 , ATT030N065EQ , ATT040K065EQ , ATT040N120EQ , SGT40N60NPFDPN , ATT060U060EQ , ATT075N065EQ , JT010N065SED , JT010N065CED , JT010N065FED , JT010N065WED , JT015N065SED , JT015N065CED .

History: STGB3NB60SD | STGF30M65DF2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.