JT015N120F7PD1E Todos los transistores

 

JT015N120F7PD1E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JT015N120F7PD1E
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 130 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 38 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 78 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 112 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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JT015N120F7PD1E Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1240K  jilin sino
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JT015N120F7PD1E

IGBT IGBT Modules RIGBT JT015N120F7PD1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15A 1200V V CESVcesat_typ1.8V Vge=15V APPLICATIONS Auxiliary inverter Motor Drives air conditioning FEATURES FS Technology

 8.1. Size:300K  jilin sino
 jt015n065fed.pdf pdf_icon

JT015N120F7PD1E

N N-CHANNEL IGBT RJT015N065FED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15 A VCES 650V Vcesat-typ 1.6V @Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology,

 8.2. Size:1254K  jilin sino
 jt015n065fed jt015n065sed jt015n065ced.pdf pdf_icon

JT015N120F7PD1E

N N-CHANNEL IGBT RJT015N065FED/SED/CED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15 A VCES 650V VCESAT-TY 1.6V VGE=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS Motor Control FEATURES Low gate charge

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