Справочник IGBT. JT015N120F7PD1E

 

JT015N120F7PD1E Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: JT015N120F7PD1E
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 38 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 78 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

JT015N120F7PD1E Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1240K  jilin sino
 jt015n120f7pd1e.pdf pdf_icon

JT015N120F7PD1E

IGBT IGBT Modules RIGBT JT015N120F7PD1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15A 1200V V CESVcesat_typ1.8V Vge=15V APPLICATIONS Auxiliary inverter Motor Drives air conditioning FEATURES FS Technology

 8.1. Size:300K  jilin sino
 jt015n065fed.pdf pdf_icon

JT015N120F7PD1E

N N-CHANNEL IGBT RJT015N065FED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15 A VCES 650V Vcesat-typ 1.6V @Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology,

 8.2. Size:1254K  jilin sino
 jt015n065fed jt015n065sed jt015n065ced.pdf pdf_icon

JT015N120F7PD1E

N N-CHANNEL IGBT RJT015N065FED/SED/CED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15 A VCES 650V VCESAT-TY 1.6V VGE=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS Motor Control FEATURES Low gate charge

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: APT75GP120J | SKM50GB12V | NGTB45N60SWG | MIXA30WB1200TED | IXXX200N60C3 | APT25GP90BDF1 | IRGIB15B60KD1P

 

 
Back to Top

 


 
.