Справочник IGBT. JT015N120F7PD1E

 

JT015N120F7PD1E - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: JT015N120F7PD1E
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 130
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 15
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 38
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 78
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 112
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для JT015N120F7PD1E

 

 

JT015N120F7PD1E Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1240K  jilin sino
 jt015n120f7pd1e.pdf

JT015N120F7PD1E JT015N120F7PD1E

IGBT IGBT Modules RIGBT JT015N120F7PD1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15A 1200V V CESVcesat_typ1.8V Vge=15V APPLICATIONS Auxiliary inverter Motor Drives air conditioning FEATURES FS Technology

 8.1. Size:300K  jilin sino
 jt015n065fed.pdf

JT015N120F7PD1E JT015N120F7PD1E

N N-CHANNEL IGBT RJT015N065FED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15 A VCES 650V Vcesat-typ 1.6V @Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology,

 8.2. Size:1254K  jilin sino
 jt015n065fed jt015n065sed jt015n065ced.pdf

JT015N120F7PD1E JT015N120F7PD1E

N N-CHANNEL IGBT RJT015N065FED/SED/CED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15 A VCES 650V VCESAT-TY 1.6V VGE=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS Motor Control FEATURES Low gate charge

Другие IGBT... ATT060U060EQ , ATT075N065EQ , JT010N065SED , JT010N065CED , JT010N065FED , JT010N065WED , JT015N065SED , JT015N065CED , MBQ50T65FDSC , JT020N065SED , JT020N065CED , JT020N065WED , JT020N065FED , JT020N135WED , JT030N065AED , JT030N065F6MD1E , JT030N065F7PD1E .

 

 
Back to Top