JT015N120F7PD1E - аналоги и описание IGBT

 

JT015N120F7PD1E - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: JT015N120F7PD1E

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 38 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 78 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для JT015N120F7PD1E

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JT015N120F7PD1E даташит

 0.1. Size:1240K  jilin sino
 jt015n120f7pd1e.pdf pdf_icon

JT015N120F7PD1E

IGBT IGBT Modules R IGBT JT015N120F7PD1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15A 1200V V CES Vcesat_typ 1.8V Vge=15V APPLICATIONS Auxiliary inverter Motor Drives air conditioning FEATURES FS Technology

 8.1. Size:300K  jilin sino
 jt015n065fed.pdf pdf_icon

JT015N120F7PD1E

N N-CHANNEL IGBT R JT015N065FED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15 A VCES 650V Vcesat-typ 1.6V @Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology,

 8.2. Size:1254K  jilin sino
 jt015n065fed jt015n065sed jt015n065ced.pdf pdf_icon

JT015N120F7PD1E

Другие IGBT... ATT060U060EQ , ATT075N065EQ , JT010N065SED , JT010N065CED , JT010N065FED , JT010N065WED , JT015N065SED , JT015N065CED , RJP63F3DPP-M0 , JT020N065SED , JT020N065CED , JT020N065WED , JT020N065FED , JT020N135WED , JT030N065AED , JT030N065F6MD1E , JT030N065F7PD1E .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.