JT020N135WED Todos los transistores

 

JT020N135WED - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JT020N135WED
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 510 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1350 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 46 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 90 pF
   Paquete / Cubierta: TO-247
     - Selección de transistores por parámetros

 

JT020N135WED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:978K  jilin sino
 jt020n135wed.pdf pdf_icon

JT020N135WED

N N-CHANNEL IGBT R JT020N135WED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 20 A VCES 1350V VCESAT-TYPVGE=15V 1.7V APPLICATIONS IH Induction heating(IH) Inverterized microwave ovens Soft switching applications FEATURES

 8.1. Size:2704K  jilin sino
 jt020n065sed jt020n065ced jt020n065wed jt020n065fed.pdf pdf_icon

JT020N135WED

N N-CHANNEL IGBT RJT020N065SED/CED/WED/FED MAIN CHARACTERISTICS Package I 20 A CBV 650V CESVCESAT-typ 1.6V V =15V GEAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS TO-263 FEATURES TO-220C Low gate charge Trenc

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History: MMG75S120B6UC | IXGA48N60C3 | IXBX28N300HV | CM150DY-24A | MMG400D060B6TC | IXXH50N60C3 | BSM300GB120DLC

 

 
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