JT020N135WED - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JT020N135WED
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 510 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1350 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 46 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 90 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 130 nC
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de JT020N135WED - IGBT
JT020N135WED Datasheet (PDF)
jt020n135wed.pdf
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jt020n065sed jt020n065ced jt020n065wed jt020n065fed.pdf
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