JT020N135WED - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JT020N135WED
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 510
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1350
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 25
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 20
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.7
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 46
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 90
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 130
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de JT020N135WED - IGBT
JT020N135WED Datasheet (PDF)
jt020n135wed.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
N N-CHANNEL IGBT R JT020N135WED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 20 A VCES 1350V VCESAT-TYPVGE=15V 1.7V APPLICATIONS IH Induction heating(IH) Inverterized microwave ovens Soft switching applications FEATURES
jt020n065sed jt020n065ced jt020n065wed jt020n065fed.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
N N-CHANNEL IGBT RJT020N065SED/CED/WED/FED MAIN CHARACTERISTICS Package I 20 A CBV 650V CESVCESAT-typ 1.6V V =15V GEAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS TO-263 FEATURES TO-220C Low gate charge Trenc
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
![JT020N135WED](https://alltransistors.com/images/us.png)
![JT020N135WED](https://alltransistors.com/images/es.png)
![JT020N135WED](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ