JT020N135WED Todos los transistores

 

JT020N135WED IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JT020N135WED

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 510 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1350 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 46 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 90 pF

Encapsulados: TO-247

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JT020N135WED datasheet

 ..1. Size:978K  jilin sino
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JT020N135WED

 8.1. Size:2704K  jilin sino
 jt020n065sed jt020n065ced jt020n065wed jt020n065fed.pdf pdf_icon

JT020N135WED

N N-CHANNEL IGBT R JT020N065SED/CED/WED/FED MAIN CHARACTERISTICS Package I 20 A C BV 650V CES V CESAT-typ 1.6V V =15V GE APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS TO-263 FEATURES TO-220C Low gate charge Trenc

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History: FGA6530WDF | FGP15N60UNDF | 6MBP30VAA060-50 | FGPF15N60UNDF | IXYB82N120C3H1 | IXGX82N120B3

 

 

 

 

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