Справочник IGBT. JT020N135WED

 

JT020N135WED Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: JT020N135WED
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 510 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1350 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 46 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 90 pF
   Тип корпуса: TO-247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

JT020N135WED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:978K  jilin sino
 jt020n135wed.pdf pdf_icon

JT020N135WED

N N-CHANNEL IGBT R JT020N135WED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 20 A VCES 1350V VCESAT-TYPVGE=15V 1.7V APPLICATIONS IH Induction heating(IH) Inverterized microwave ovens Soft switching applications FEATURES

 8.1. Size:2704K  jilin sino
 jt020n065sed jt020n065ced jt020n065wed jt020n065fed.pdf pdf_icon

JT020N135WED

N N-CHANNEL IGBT RJT020N065SED/CED/WED/FED MAIN CHARACTERISTICS Package I 20 A CBV 650V CESVCESAT-typ 1.6V V =15V GEAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS TO-263 FEATURES TO-220C Low gate charge Trenc

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: 6MBP75VBA060-50 | BSM300GB120DLC | IXBX28N300HV | GT60M101 | MMG400D060B6TC | IXXH50N60C3 | IXGA48N60C3

 

 
Back to Top

 


 
.