JT020N135WED - аналоги и описание IGBT

 

JT020N135WED - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: JT020N135WED

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 510 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1350 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 46 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 90 pF

Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для JT020N135WED

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JT020N135WED даташит

 ..1. Size:978K  jilin sino
 jt020n135wed.pdf pdf_icon

JT020N135WED

 8.1. Size:2704K  jilin sino
 jt020n065sed jt020n065ced jt020n065wed jt020n065fed.pdf pdf_icon

JT020N135WED

N N-CHANNEL IGBT R JT020N065SED/CED/WED/FED MAIN CHARACTERISTICS Package I 20 A C BV 650V CES V CESAT-typ 1.6V V =15V GE APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS TO-263 FEATURES TO-220C Low gate charge Trenc

Другие IGBT... JT010N065WED , JT015N065SED , JT015N065CED , JT015N120F7PD1E , JT020N065SED , JT020N065CED , JT020N065WED , JT020N065FED , G50T65D , JT030N065AED , JT030N065F6MD1E , JT030N065F7PD1E , JT030N065WED , JT030N065FED , JT030N065SED , JT040K065WED , JT040K065AED .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.