JT040K065WED Todos los transistores

 

JT040K065WED IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JT040K065WED

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 340 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 84 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 193 pF

Encapsulados: TO-247

 Búsqueda de reemplazo de JT040K065WED IGBT

- Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

JT040K065WED datasheet

 ..1. Size:1783K  jilin sino
jt040k065wed jt040k065aed.pdf pdf_icon

JT040K065WED

N N-CHANNEL IGBT R JT040K065WED/AED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 40 A VCE 650V Vcesat-typ 1.7V Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS Motor Control FEATURES Low gate charge Trench

Otros transistores... JT020N065FED , JT020N135WED , JT030N065AED , JT030N065F6MD1E , JT030N065F7PD1E , JT030N065WED , JT030N065FED , JT030N065SED , IHW20N135R5 , JT040K065AED , JT050K120F2MA1E , JT050N065WED , JT050N120F2MA1E , JT050N120GPED , JT05N065RAD , JT05N065VAD , JT05N065SAD .

 

 

 


🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores

IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE

 

 

 

Popular searches

mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003

 

 

↑ Back to Top
.