Справочник IGBT. JT040K065WED

 

JT040K065WED - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: JT040K065WED
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 340
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.7
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 84
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 193
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 79.2
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для JT040K065WED

 

 

JT040K065WED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1783K  jilin sino
 jt040k065wed jt040k065aed.pdf

JT040K065WED JT040K065WED

N N-CHANNEL IGBT R JT040K065WED/AED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 40 A VCE 650V Vcesat-typ 1.7V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS Motor Control FEATURES Low gate charge Trench

Другие IGBT... JT020N065FED , JT020N135WED , JT030N065AED , JT030N065F6MD1E , JT030N065F7PD1E , JT030N065WED , JT030N065FED , JT030N065SED , SGT40N60FD2PN , JT040K065AED , JT050K120F2MA1E , JT050N065WED , JT050N120F2MA1E , JT050N120GPED , JT05N065RAD , JT05N065VAD , JT05N065SAD .

 

 
Back to Top