JT050N120F2MA1E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JT050N120F2MA1E
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 285
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 50
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.8
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 66
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 260
Paquete / Cubierta: MODULE
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JT050N120F2MA1E Datasheet (PDF)
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Liste
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